Mientras
que muchos podrían ver el mercado de la energía como maduro, Mitsubishi apunta
a un crecimiento del 10% en los próximos cinco años para dominar la industria.
Su operación de módulos en Hungría, Vincotech, será esencial para este
crecimiento, dice Toru Sanada, Oficial Ejecutivo a cargo de Semiconductor &
Devices en Mitsubishi Electric en una conferencia en Tokio. Esto sigue a la
compra de su empresa conjunta Powerex con GE en los EE. UU. Para enfocarse en
dispositivos de potencia automotriz. Esta es una de las cuatro áreas en las que
se enfocará el negocio, dice Sanada. Estos son electrodomésticos,
automatización de fábricas industriales y energía renovable, transmisión CC y
automotriz, y serán impulsados por la fabricación de mayor volumen de
dispositivos de potencia de silicio y carburo de silicio (SiC) en obleas más
grandes. El mercado global para módulos IGBT será de $ 7 mil millones para el
2022, dominado por aplicaciones industriales y Mitsubishi pretende hacer crecer
el negocio de energía a ¥ 20 mil millones ($ 2 mil millones), o el 30% del
mercado para entonces, en vez de ¥ 130 mil millones ($ 1.3 mil millones) hoy.
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Thursday, December 21, 2017
Saturday, November 5, 2016
Various Usage of CM25MD-24H - SPANISH
Un IGBT o transistor bipolar de puerta aislada, es un dispositivo
de estado sólido (sin partes móviles). Es un interruptor que se utiliza con el
fin de permitir el flujo de energía en el estado activado y para detener el
flujo de energía cuando está en el estado desactivado. Un IGBT funciona
mediante la aplicación de tensión a un componente semiconductor, por lo tanto,
cambiar sus propiedades para bloquear o crear una trayectoria eléctrica.
IGBTs se utilizan en aplicaciones de alta potencia, tales como:
- las unidades de motor aplicadas
- controladores de motores para vehículos eléctricos
- convertidores de corrección del factor de potencia
- Fuente de poder ininterrumpida
- Los inversores solares
- soldadores de alta frecuencia
- cocinas de calentamiento por inducción
Mayormente para usar en motores con fines de control y variadores
de Mitsubishi Corp. ha fabricado un módulo IGBT. CM25MD-24H es un dispositivo
perfecto que se puede emplear en robótica.
Descripción del producto:
USO DE LA ENERGÍA MEDIA DE CONMUTACIÓN TIPO AISLADO, 25 AMP, 1200
VOLTIOS, SOLICITUD: controles de motores de CA y CC, inversores de propósito
general, los controles servo, NC, robótica, entre otras.
100 amperios, 600 voltios,
TRANSISTOR DE POTENCIA
Información Adicional:
Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de
corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de
CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El transistor de
potencia
Enlace del producto
CM25MD-24H - Mitsubishi módulo
IGBT Transistor
Thursday, October 27, 2016
Usage of CM400DY1-12E in Variable Frequency Drives - SPANISH
Mitsubishi ha puesto en marcha un módulo de puerta aislada
transistor bipolar (IGBT), El CM400DY1-12E, principalmente para el uso en el
control motor AC / DC y fuentes de alimentación conmutadas. Gran velocidad de
conmutación es necesaria para el funcionamiento del modo PWM VFD
que se puede lograr mediante el uso del CM400DY1-12E. Un variador de frecuencia
IGBT que puede encender y funcionar en menos de 400 nanosegundos y se
apaga en aproximadamente 500 nanosegundos.
Todos los variadores de frecuencia recientes utilizan CM400DY1-12E
como dispositivo de poder. Este dispositivo hace que sea posible para minimizar
el ruido audible molesto mediante el uso de frecuencias de conmutación más allá
de la gama audible. Por desgracia, variadores de frecuencia que utilizan los
modulos IGBT, presentan un alto potencial de generación de RFI - Interferencia
de radiofrecuencia. conmutación rápida en estos dispositivos genera formas de onda
de bordes afilados con componentes de alta frecuencia que generan más RFI.
Descripción del producto:
Los IGBT de potencia Módulo de potencia del transistor, 400
amperios, 600 voltios. TIPO 400A 600V 2U Módulos IGBT transistor de potencia
ALTA POTENCIA AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN
Presupuesto
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
Marca
Mitsubishi
Las solicitudes de destino
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de
alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El transistor de potencia
Tuesday, October 25, 2016
Usage of CM300DY-12H in Electric Trains Article - SPANISH
La corporación Mitsubishi de Japón ha empleado paneles de
aluminio seco en sus de aletas de refrigeración (que son utilizadas en la
corriente de aire en los trenes) desde el año 1998, con muchos logros prácticos
en aplicaciones. Sin embargo, el mercado exige ahora que la parte de un tren
bajo el nivel del suelo sea cubierta en un contenedor de faldilla similar para
reducir el ruido generado durante la operación del tren. Para satisfacer esta
necesidad, Mitsubishi Electric Corporation ha desarrollado un secador que hace
uso del panel de la corriente de aire generada bajo el suelo durante el
funcionamiento del tren. Los distintos métodos de refrigeración que utilizan la
corriente de aire bajo el suelo tienen una cantidad de problemas muy
importante, por el ruido que generan y la filtración de los mismos . El modulo
CM300DY-12H se emplea en los trenes con fines de tracción control. A
continuación los invitamos a conocer mas de este modulo:
Descripción del producto:
300 amperios, 600 voltios, Dual IGBTMOD Módulo H-Series. 300
amperios / 600 voltios. IGBTMODModules Powerex están diseñados para su uso en
aplicaciones de conmutación. Cada módulo consta de dos transistores IGBT en una
configuración de medio puente con cada transistor
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
Marca
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de
alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El transistor de potencia
CM300DY-12H - Mitsubishi módulo IGBT Transistor
Friday, October 21, 2016
Usage of CM100DY-24H in Electric Transit Buses and Trams - SPANISH
Actualmente el uso de los modulos IGBT es algo que se amerita para
el correcto y optimo rendimiento de muchas maquinas,todos estos requisitos a
continuación fueron recibidos por el uso de la unidad de motor en base y con
uso del modulo CM100DY-24H en el sistema de control para el autobús de
transporte eléctrico: (a) amplia gama de velocidades incluyendo la alta
velocidad de funcionamiento; (B) gran par de arranque para una buena
aceleración; (C) de alta eficiencia; y (d) de frenado regenerativo para
aumentar la utilización de las baterías. En Europa y Japón, los sistemas de
transporte de tranvía eléctrico se han modernizado mediante el uso de las
unidades de motor a base de IGBT. De acuerdo con AEG-Westinghouse Transporte
Systeme, Alemania, el concepto de piso bajo se está convirtiendo en un
requisito previo del cliente estándar. Esto ha sido posible gracias a los
módulos IGBT de hoy en día.
Descripción del producto:
Dual IGBTMOD 100 Amperios / 1200 voltios, ALTA POTENCIA TIPO
AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LOS MÓDULOS DEL TRANSISTOR DE POTENCIA IGBT.
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de
alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El transistor de potencia
Enlace del product
CM100DY-24H - Mitsubishi módulo IGBT Transistor
Monday, October 17, 2016
Induction Heating and CM50DY-12H - SPANISH
Cuando cocinamos una placa de cocción por inducción se utiliza
para alcanzar el calor necesario. Se han empleado dos tipos de topologías de
circuitos para la cocina de inducción. Uno de ellos es el convertidor resonante
en serie de medio puente y otro es el convertidor cuasi-resonante. Los
beneficios como conmutación estable, de bajo costo, y simplificar el diseño se
puede lograr mediante el convertidor resonante en serie. El convertidor cuasi-resonante
tiene la comodidad de un diseño compacto con disipador de calor más pequeño. El
convertidor cuasi-resonante se utiliza más ampliamente. Debido al gran mercado
para estos aparatos, algunos fabricantes de semiconductores han desarrollado
productos IGBT especialmente adecuados para este mercado. IGBT cuentan con una
construcción robusta zanja y rentable campo de parada (FS), y proporcionan un
rendimiento superior en aplicaciones exigentes de conmutación, que ofrece lo
necesario de baja tensión en estado de conmutación y la pérdida mínima. Los
IGBTs son muy adecuados para este tipo de aplicaciones de conmutación
resonantes o blandas.
El CM50DY-12H puede ser una muy buena opción para el uso en
aplicaciones de IH. Mitsubishi ha hecho de este dispositivo IGBT justamente
para el empleo en los inversores y motores de AC / DC.
Descripción del producto:
IGBT TRANSISTOR DE ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE LA ENERGÍA MEDIA
utiliza Cambio TIPO AISLADO, Dual IGBTMOD 50 Amperios / 600 Voltios. Mitsubishi
Módulos IGBT transistor de potencia están diseñados para su uso en aplicaciones
de conmutación. Cada módulo consta de dos transistores IGBT en una
configuración de medio puente con cada transistor.
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
Información Adicional:
Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de
alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El transistor de potencia
Enlace del product
CM50DY-12H - Mitsubishi módulo IGBT Transistor
Tuesday, October 11, 2016
Different Generation of IGBTs and CM150DU-24F – SPANISH
Los dispositivos IGBT de
primera generación de la década de 1980 y principios de 1990 fueron
relativamente de lenta en la conmutación, y con tendencia al fracaso a
través de tales; como el modo seguro hacia arriba y la descomposición
secundaria. La segunda generación de dispositivos mejoraron mucho, y las
actuales de tercera generación son aún mejores, con MOSFETs de velocidad que
rivalizan, y excelente resistencia a la tolerancia de las sobrecargas.
Sus cualidades de manejo
como modulo son extremadamente altas, con un pulso preciso de los
dispositivos de segunda y tercera generación que también los hacen útiles
para generar grandes impulsos de energía en áreas como la física de partículas
y el plasma, donde se están empezando a reemplazar a los dispositivos más
antiguos, como tiratrones y chispas con disparo. Mitsubishi es uno de los
principales proveedores de dispositivos IGBT de todo el mundo. Sus IGBTs son
ampliamente utilizados en diversos aparatos. CM150DU-24F es una forma de
transistores bipolares aislados Mitsubishi, que mantiene la misma calidad y
rendimiento.
Descripción del producto:
Fosa de puerta Diseño de
doble IGBTMOD 150 Amperios / 1200 voltios. Cada módulo consta de dos
transistores IGBT en una configuración de medio puente con cada transistor que
tiene una recuperación muy rápida del diodo de rueda libre conectado inversa.
Todos los componentes e interconexiones AR
100 amperios, 600
voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
Marca
Mitsubishi
inversores; control de
motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de
motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El
transistor de potencia
CM150DU-24F - Mitsubishi
módulo IGBT Transistor
Thursday, October 6, 2016
CM1200HB-66H and It’s Usage - SPANISH
¿Que pasaría si todos
los modulos IGBT fueran removidos de las aplicaciones a las que sirven
hoy en día? nuestros vehiculos (electricos y a gasolina) pararian porque sus
sistemas electricos utilzan invertores para entregar la energía y corriente , y
sin estos modulos IGBT esto simplemente no seria posible. Las tecnologias mas
avanzadas a base de energia solar y de viento es uno de los recursos de
energia rebovable que tampoco estaria en capacidades de funcionar, y asi
como estas instalaciones, muchos otros tambien pararian por el simple de hecho
de carecer de un modulo IGBT, la calidad de vida que tenemos actualmente
es en gran parte a los IGBT, y sin ellos muchas de nuestras facilidades domesticas
y funcionamientos en las grandes fabricas y maquinas no seria posible ni
siquiera en su mas minima medida.
De esta discusión
podemos deducir que el IGBT realmente juega un papel bastante importante e
inevitable en nuestra existencía como sociedad e individuos, Mitsubishi es
quien ha sido el lider en cuanto a modulos IGBT y tecnologia referente,
los mismos han sido usados desde tareas cotidianas hasta procedimientos de
mayor importancia.
Descripción:
Segunda generacion
del modulo HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) . HIGH
POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE. 1200 A, 3300 V. APPLICATION invertores,
Convertores, DC choppers, Induction heating, DC to DC converters.
Especificaciones:
100 Amp, 600 Volt,
MODULO IGBT (TRANSISTOR DE PODER)
Aplicaciones:
Inverters; DC motor
control; Switching power supplies; AC motor control
Wednesday, October 5, 2016
CM1000HA-24H - A Perfect IGBT for Motor Control - SPANISH
Para alcanzar los niveles
adecuados de manejo de capacidad electrica, particularmente en las aplicaciones
de motores que requieren multiples elementos de poder y cambios de velocidad,
los circuitos de poder integrado se han desarrollado usando diferentes tecnicas
de construcción en vehiculos hibridos, dichas tecnicas han sido necesarias y
sumamente exitosas debido a las limitaciones a la hora del manejamiento de
poder integrada a la tecnologia de circuitos, los circuitos integrados que son
usualmente usados en los sistemas monoliticos para proveer un bajo calor termal
y una rapida respuesta a los cambios de velocidad y niveles electricos,
esto es precisamente lo que hace que los IGBTS la mejor opcion, los
modulos de MITSUBISHI son una buena elección porque pueden venir desde
bajas frecuencias ( 60 hz o dc) con ondas de frecuencia variable de entre
20 a 200 ms.
Hoy vamos a hablar de el
modulo CM1000HA-24 H
Descripción
Modulo transistor, IGBT de 1000
amperios,/1200 voltios, corriente de rangos VCES amperios voltios x 50 CM 1000
24
Especificaciones
100 Amp, 600 Volt, Transistor de
poder
Aplicaciones
Invertores; DC motor control;
cambio de poder; AC motor control
Thursday, September 29, 2016
CM800DZ-34H - A Successful HVIGBT Module from Mitsubishi - SPANISH
Los módulos de Mitsubishi Electric son IGBTs y diodos
de alto voltaje ; con la gama completa de 1.7kV, 2,5 kV, 3.3kV, y
versiones de 4,5 kV y 6,5 kV en su serie, han ganado amplia aceptación en
muchas aplicaciones de alta potencia de propulsión diferentes, tales como el
sector ferrocarril que es de la potencia de transmisión / distribución y
grandes unidades industriales, que la demanda de mayores corrientes nominales,
las tensiones nominales y los rangos de temperatura de la unión operación más
amplia.
Tras el éxito de la serie H existente, Mitsubishi Electric
presenta la nueva serie R de IGBT para reducir las pérdidas de baja
potencia y aumenta la intensidad nominal, manteniendo la compatibilidad
mecánica con la serie ya existente. Con la certificación internacional de tren
de Industria Estándar (IRIS), Mitsubishi Electric ha demostrado y garantiza la
calidad de los productos de alto voltaje para el mercado de tracción. Hoy vamos
a hablar de un dispositivo de generación de HVIGBT anterior de Mitsubishi. El
CM800DZ-34H.
Descripción del producto:
TRANSISTOR DE POTENCIA MÓDULO IGBT (800 Amp, 1700 voltios), las
unidades de tracción APLICACIÓN 3º-Versión HVIGBT (alto voltaje bipolar de
puerta aislada Transistor) Módulo,, alta fiabilidad Convertidores / Inversores,
interruptor de CC
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Información Adicional:
Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de
alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT Transistor de energía - Ver más en: http://www.mitsubishimodules.com/product/cm800dz-34h/
CM800DZ-34H - Mitsubishi módulo IGBT Transistor
Traductor de Google para empresas:Google Translator
ToolkitTraductor de sitios web
Wednesday, September 28, 2016
CM600HB-24A and It’s Advantages as an IGBT - SPANISH
El modulo CM600HB-24A es un transistor bipolar de puerta aislada
(IGBT) de la Mitsubishi Electric Corp., casa Japonesa que ha diseñado y
fabricado este artefacto. Es un dispositivo de portadores minoritarios con alta
impedancia de entrada y la capacidad de conducción de corriente bipolar grande.
Muchos diseñadores consideran IGBT como un dispositivo con características de
entrada MOS y característica de salida bipolar que es un dispositivo bipolar
controlado por tensión. Para hacer uso de las ventajas de ambos Power MOSFET y
BJT, el IGBT se ha introducido. Es una integración funcional de los
dispositivos de potencia MOSFET y BJT en forma monolítica. Se puede controlar
fácilmente en comparación con los modulos controlados actuales (tiristores,
BJT) en aplicaciones de alta corriente de alta tensión y. También tiene una
excelente capacidad de avance y retroceso de bloqueo. Los detalles de
CM600HB-24A se discuten a continuación.
Descripción del producto:
IGBTMOD módulo individual A-Series 600 Amperios / 1200 voltios.
Cada módulo consta de un transistor IGBT en una sola configuración con un revés
conectada recuperación súper rápido de rueda libre diodo. Todos los componentes
e interconexiones que están aislados.
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Información Adicional:
Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de
alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El transistor de potencia
Enlace del product
CM600HB-24A - Mitsubishi módulo IGBT Transistor
Thursday, September 22, 2016
CM600E2Y-34H in Dynamic Braking Choppers – SPANISH
El frenado dinámico
requiere de dos componentes: el instalado en fábrica llamado chopper y la
resistencia de frenado externa. El chopper de frenado consiste en función de
acopio del modulo IGBT (que está montado en fábrica, internamente en el
convertidor de frecuencia (AFD) ). El CM600E2Y-34H es un transistor bipolar de
puerta aislada muy conveniente para usar en las choppers de frenado dinámico.La
helice tipo helicóptero controla la tensión del circuito intermedio
mediante la conexión de la resistencia de freno a través del enlace cuando la
tensión alcanza un nivel predeterminado, disipando la energía excesiva en la
resistencia de freno. El tamaño del chopper de frenado se fija por el calibre
del variador. La resistencia de freno se selecciona sobre la base de la
calificación AFD, la magnitud de la energía se disipe, y el ciclo de trabajo de
frenado.
Descripción del producto
MITSUBISHI HVIGBT
TRANSISTOR DE ENERGÍA módulos, HVIGBT (alto voltaje bipolar de puerta aislada
Transistor) Módulo de conmutación de potencia, ALTA TIPO AISLADO USO, 600 AMP,
1700 voltios, Interruptores de la CC APLICACION, choppers de frenado dinámico
Presupuesto
100 amperios, 600
voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
descargar hoja de
Información Adicional:
Marca
Mitsubishi
Las solicitudes de
destino
inversores; control de
motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de
motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El
transistor de potencia
Enlace del producto
CM600E2Y-34H -
Mitsubishi IGBT Transistor modulo
Wednesday, September 21, 2016
CM400HA-34H vs BJT and PIN DIODE - SPANISH
El CM400HA-34H es un módulo de transistor de puerta aislada
biopolar. Creado por Mitsubishi Corporation, Japón. Este módulo tiene
algunas ventajas sobre los diodos PIN y los BJT. No tiene el tiempo de
recuperación inversa como su competencia, esto provoca la pérdida de potencia.
No requiere de corriente de control sustancial y Apagado , o cual no genera
tiempo de retraso de almacenamiento como los BJT, así que no hay problemas de
eficiencia. por lo tanto,el tiempo tiempo de almacenamiento máximo
es mas rapido y sin desvío sustancial de frecuencias de
conmutación, a contrario de los BJT, el CM400HA-34H es un módulo controlado por
tensión y alta entrada de dispositivo de impedancia que es más fácil que el
control actual de BJT. Su capacidad de potencia es diez veces mejor que los
MOSFET de potencia o BJT.
En las aplicaciones de conmutación rápida como el control de
motores de CA / CC, inversores, etc este módulo es ideal. Mitsubishi ha hecho un
gran trabajo con él. Los detalles se han discutido a continuación
Descripción del producto:
400 Amp, 1700 voltios RECTIFICADOR SOLA 600V 75A, el tipo IGBT
MÓDULOS transistor de potencia ALTA POTENCIA utilizar el cambio aislado,
individual IGBTMOD 400 Amperios / 1700 voltios. Cada módulo consta de un IGBT
en una sola configuración con una recuperación muy rápida sin rueda conectada
inversa
Presupuesto
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
descargar hoja de
Información Adicional:
Marca
Mitsubishi
Las solicitudes de destino
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de
alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El transistor de potencia
Enlace del product
CM400HA-34H
- Mitsubishi módulo IGBT Transistor
Monday, September 19, 2016
CM400DY-12E in UPS Inverters – SPANISH
Los rectificadores de perdida baja simple( SCR ) son utilizados
por los antiguos UPS de tecnología. Sin embargo, tanto el convertidor y el
filtro de salida tienen grandes pérdidas. El inversor tiene una tensión
comparativamente alta de CC para el voltaje de CA producida. Debido a que la
batería se encuentra en este nodo y el inversor debe ser capaz de generar
también que la tensión en el extremo de descarga para la batería. Dado que las
pérdidas de conmutación IGBT están equilibrados en tensión de CC, este esquema
podría causar pérdidas de conmutación altas. El filtro de salida utiliza la
inductancia de fuga del transformador de salida. Esto significa que tanto la
primaria y secundaria deben llevar las corrientes de alta frecuencia PWM.
Los nuevos modulos SAI utilizan la tecnología del CM400DY-12E (un convertidor IGBT), tanto para el rectificador y el inversor. Estos dos deben funcionar a altas frecuencias PWM, que es la causa de las elevadas pérdidas que aveces suelen tener los rectificadores.
Descripción del producto
Los IGBT de potencia Módulo de potencia del transistor, 400
amperios, 600 voltios
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Información Adicional
Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de
alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas
Módulo IGBT El transistor de potencia
CM400DY-12E - Mitsubishi módulo IGBT Transistores
Wednesday, September 14, 2016
CM200DY-24NF in Ultracapacitor Bank Control - Spanish
En el modulo CM200DY-24NF se simula un sistema de control del
banco de ultracondensadores para un vehículo eléctrico. El propósito de este
dispositivo es permitir mayores aceleraciones y desaceleraciones del vehículo
con una mínima pérdida de energía, y la degradación mínima de la batería
principal. El sistema utiliza un convertidor Buck-Boost IGBT, que está
conectado al banco de ultracondensadores en el lado de impulso, y a la batería
principal en el lado de Buck. En este campo, Mitsubishi hizo IGBT
CM200DY-24NF que se puede emplear con éxito en todas sus funciones como;
El control del sistema mide el voltaje de la batería, la carga del estado de la
batería, la velocidad del coche, las corrientes instantáneas en ambos
terminales (carga y ultracondensadores), y la tensión real de la
ultracondensadores. Esta última indicación permite conocer la cantidad de
energía almacenada en el ultracondensadores.
Descripción del product
MITSUBISHI IGBT MÓDULOS transistor de potencia IGBT, TRANS MÓDULO
TRANSISTOR DE POTENCIA N-CH 1200V 200A
Presupuesto
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
descargar hoja de
Información Adicional
Las solicitudes de destino
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de
alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas
Módulo IGBT El transistor de potencia
Enlace del product
CM200DY-24NF
- Mitsubishi IGBT Transistor moduloCM100TU-24H and Its Use in Petroleum Sector - SPANISH
La industria del petróleo se caracteriza por localizar y extraer
petróleo de yacimientos cada vez más profundos bajo la superficie de la tierra.
Debido a la alta viscosidad y la inclusión de asfalto, la extracción de
petróleo de bajo tierra usando pozos de petróleo es difícil. El riego con agua
caliente, la adición de productos químicos, o calefacción eléctrica de las
tuberías puede reducir la viscosidad. El bajo costo de la tecnología de
calefacción eléctrica ha promovido su amplio uso en la industria petrolera.
Se necesita una configuración básica para el calentamiento del
tubo de aceite. En esta configuración, la alimentación de CA se convierte en un
bus DC por la etapa rectificadora y luego invierte utilizando los IGBTs. El
conjunto tiene ventajas de pequeño volumen y peso ligero debido al uso de IGBT
en el sistema del inversor. El CM100TU-24H es un módulo IGBT que es un gran uso
de estos inversores.
Descripción del producto
Seis IGBTMOD 100 Amperios / 1200 voltios, Módulos IGBT transistor
de potencia ALTA POTENCIA SWITCHI
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de
alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas
Módulo IGBT El transistor de potencia
Enlace del product
CM100TU-24H - Mitsubishi módulo IGBT Transistor
Thursday, September 8, 2016
CM20MD-12H - An Excellent IGBT Transistor from Mitsubishi - SPANISH
Debido a sus ventajas en
términos de conmutación rápida, robustez, simplicidad de control de puerta y la
facilidad de uso, el uso de módulos de Mitsubishi IGBT está muy extendida.
Estos también tienen un fácil montaje y construcción, Mientras que el modulo
IGBT puede limitar y conmutar corriente debido a fallos normales, el medio de
tracción puede presentar situaciones en las que la energía extensa se lleva a
cabo a través del módulo. En comparación con otras soluciones alternativas,
estos pueden reducir de 40 a 50% en el costo del inversor, el peso y volumen.
Sin embargo, la operación de conmutación rápida requiere una atención especial
para reducir la inductancia de circuito para evitar la sobretensión en la
conmutación. Otra consideración que es una cuestión que vale la pena mencionar
es la capacidad del módulo para gestionar fallos sin permitir la extensa
ruptura o explosión de los circuitos.
El CM20MD-12H es un
módulo de este tipo que se aplica en diversos campos de la vida cotidiana. Este
módulo también posee la misma calidad por la que es famoso por Mitsubishi.
Descripción del product:
MITSUBISHI IGBT
TRANSISTOR DE ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE LA ENERGÍA MEDIA utiliza Cambio TIPO
AISLADO, CIB Módulo trifásico de convertidor inversor trifásico de freno 20
Amperios / 600 Voltios
100 amperios, 600
voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Información Adicional:
Marca
Mitsubishi
inversores; control de
motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de
motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El
transistor de potencia
Enlace del product
CM20MD-12H - Mitsubishi
IGBT Transistor modulo
Thursday, August 18, 2016
Mitsubishi makes all-SiC 3.3kV 1.5kA footing inverter
Scientists at Mitsubishi have
made custom mosfets for an all silicon carbide 3.3kV 1.5kA dc to three-stage
footing inverter for railroad trains, asserting the inverter to be a world
first.
The organization has as of now
worked a mixture outline with silicon IGBTs and 1.7kV SiC Schottkys on an
underground prepare, which showed 38.6% force investment funds contrasted and
the ordinary framework.
Custom 3.3kV 1.5kA SiC mosfets
and Schottky diodes were made for the all-SiC extend, and incorporated with
modules with one transistor and one diode. On the whole, the inverter has 16
modules. Exchanging misfortunes in the inverter are guaranteed to be 55%
superior to the silicon identical.
To get conduction misfortunes as
low as proportional silicon IGBTs, mosfet cell structure was advanced, and the
JFET area ('JD' in the chart) of the mosfets was n-doped by high vitality
nitrogen implantation to lessened JFET on-resistance at high temperature.
For stable torrential slide
breakdown (~4kV), a field-constraining ring structure was produced for edge end
in both gadgets and devices.
Additionally for strength, the
converse diode inalienable in the mosfet structure was upgraded for a long
working life conveying current nearby the Schottky, instead of waiting be
shorted by the Schottky.
Last mosfet dynamic territory is
0.83cm2, and the Schottkys every spread 0.74cm2.
Report '3.3kV/1500A force
modules for the world's first all-SiC footing inverter' in the Japanese Journal
of Applied Physics depicts the SiC semiconductors.
The examination is likewise
highlighted in the September 2015 issue of the JSAP Bulletin, from which the
charts are taken.
Wednesday, August 17, 2016
Mitsubishi Electric to Discharge Institutionalized HVIGBT Module X-Series
Mitsubishi Electric Corporation
declared today that it has built up a cutting edge power module called X-Series
New Dual HVIGBT module for footing and electric force applications in
overwhelming commercial ventures. The new module highlights higher force
thickness and proficiency for inverters and in addition an institutionalized
bundle that considers an adaptable configuration of inverter frameworks.
Tests of the 3.3kV (LV100)
variant of the New Dual module will be accessible for transportation from March
2017. That will be trailed by 1.7kV, 3.3kV (HV100), 4.5kV and 6.5kV variants in
a specific order from 2018 onwards. The organization additionally plans to add a
lower-than 1.7kV rendition to the lineup later on.
High-control modules are key
gadgets for controlling force transformation in electronic frameworks in an
extensive variety of force classes from a few kilowatts up to a few megawatts.
Up to this point, modules with the greatest voltage rating of up to 6.5kV and a
most extreme current rating of a few thousand amperes have been monetarily
accessible.
The New Dual HVIGBT module will
fulfill interest for productive, high power thickness semiconductor gadgets
with a scope of current and voltage evaluations, while adding to higher force
yield and proficiency in inverters by embracing the most recent seventh-era
IGBTs and RFC diodes. Then, the institutionalized bundle measurements will
permit makers of mechanical gadgets to disentangle plan and secure numerous
hotspots for inverters.
Item Features:
1. Contributing to high vitality
effectiveness and high power thickness •The seventh-era IGBTs receiving CSTBTTM
and RFC diodes acknowledge low power misfortune in inverter frameworks.
• Improved bundle innovation and
low parasitic inductance empower the greatest execution.
• Three AC fundamental terminals
on the LV100 bundle spread and even out current thickness, adding to expanded
inverter capacity.
2. Common edge size backings
more various inverter setups and limit •LV100 and HV100 modules have a typical
bundle plan.
• Simple, standard associations
take into consideration ideal framework outline and a scope of current
evaluations.
• Lineup ranges from 1.7 to
6.5kV.
• Improved adaptability and
versatility for framework design.
3. Contributing to higher
configuration productivity by the utilization of an institutionalized new
bundle
• Compatible
with terminal and connection areas of Infineon Technologies AG (Germany) items.
Tuesday, August 9, 2016
Mitsubishi IGBT Modules for Sun Powered
Mitsubishi has declared its 6th
era of IGBT modules for force converters.
"The 6th era transporter
put away trench-entryway bipolar transistor lessens authority emitter immersion
voltage by roughly 15% contrasted with fifth-era IGBT modules, disconnection
voltage is raised to 4kV, door capacitance is decreased, and most extreme
intersection temperature is raised by 25°C to 175°C," said the firm.
Be that as it may, they are the
same 150x166x34mm size, shape and stick setup.
Applications are for the most
part expected in substantial limit photovoltaic and wind power-era frameworks,
furthermore in huge limit modern inverters and uninterruptible PSUs.
CM900DUC-24S: 1.2kV, 900A, 1.55V
immersion
CM1400DUC-24S: 1.2kV, 1kA, 1.55V
immersion
CM1000DUC-34SA: 1.7kV, 1.4kA,
1.9V immersion
Shipments will start toward the
end of May.
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