Existe un incremento de
interés en la optimización de chips IGBT debido a la creciente necesidad de una
mayor densidad de potencia, mayor potencia de salida, y el aumento de la
resistividad térmica. Los modulos IGBTs se utilizan ampliamente en varios tipos
de dispositivos electrónicos de potencia porque los chips IGBT son de diseño
compacto, pequeño en tamaño, y tienen una alta fiabilidad, lo que mejora la
funcionalidad. Varios vendedores del mercado también están invirtiendo
fuertemente en I + D para la fabricación de los chips optimizados para aumentar
la eficiencia operativa de los módulos de potencia basados en Ilos IGBT.
Además, los informes
señala que los módulos de potencia basados en IGBT tienen una mayor densidad de
energía que los MOSFETs y pueden administrar la energía hasta 1,000A. Esto
aumenta el costo de los módulos IGBT en un amperio por dólar. El alto costo de
estos modulos impide su uso en aplicaciones tales como equipos de soldadura,
control de motores de baja tensión y UPS. Varias PYME sensibles a los costes
que fabrican dispositivos electrónicos también les resulta difícil la adopción
de estos módulos.
Mitsubishi Electric
Corp., de Japón es el proveedor más importante de los diversos tipos de
transistores IGBT en el mercado mundial. CM300DU-12F es un IGBT diseñado con
una pequeña y compacta puerta de corriente y voltaje, hoy vamos a hablar de
este modulo
Descripción del producto:
Modulo transistor de alta
resistencia y amplio esprectro de cambio Trench Gate Design Dual IGBTMOD 300
Amperios/600 Voltios, IGBT, VCE 600 V (VGE=0), IC 300 A, 300 Amp, 600 Volt
Especificaciones:
100 Amp, 600 Volt
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