USComponent.com

Wednesday, May 31, 2017

Diferencias basicas y fisicas entre el IGBT Y el MOSFET

Después de evolucionar lado a lado en las últimas tres décadas, los transistores bipolares de puerta aislada (IGBTs) y MOSFET dominan ahora el mercado de semiconductores de potencia en aplicaciones como unidades de motor, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores solares. Entonces, ¿dónde hacer IGBTs hacer el mejor ajuste, y cuándo tiene sentido de diseño mejor para ir con un MOSFET? Estructuras y principios básicos El IGBT es un dispositivo semiconductor que combina las características de salida de un transistor bipolar y las características de accionamiento de puerta de un MOSFET.


Por lo tanto, el IGBT es un dispositivo portador de minorías con alta impedancia de entrada y alta capacidad de transporte de corriente. En comparación con los MOSFETs, los IGBT también son más adecuados para escalar en capacidad de manejo de corriente a niveles de voltaje más altos debido a sus características de salida bipolares.

Monday, May 29, 2017

IGBTs for Fast Switching, High Current and High Voltage

Prior to the evolution of the IGBT, power electronics engineers had two kinds of devices for fast and higher frequency switching – the Bipolar Junction Transistor (BJT) and the Metal Oxide Field Effect Transistor (MOSFET). Both could switch at higher frequencies than Thyristors (or SCRs). However, either had some limits. MOSFETS provided high switching speeds, yet high voltage and high current plans were comparatively steep, while BJTs were available in high voltage and high current designs, however offered lower exchanging speeds to some extent.

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are switching devices with three terminals, which could successfully be deliberated to consist of an insulated gate N-channel MOSFET associated with a PNP Bipolar Junction Transistor. The IGBT unites the high voltage and current capacity of the BJT with the voltage control attributes of a MOSFET which allow higher frequency switching. The IGBT has three connections, Emitter, Gate and Collector. The conduction path is through the Collector and Emitter. Identical to a Thyristor, the IGBT allows controlled current to go through when a signal is recognized at the Gate. A thyristor is “current” and switches “ON” when a pulse is given to the Gate.

The IGBT is controlled by voltage, allowing conduction when a positive voltage is there on the Gate, and only switching “OFF” when the voltage is reduced to zero, or ideally, driven negative. The output current and voltage attributes are same to the BJT, but driving the device using the voltage control of the MOSFET facilitates the switching. Another significant convenience over normal MOSFET operation is lower on-state voltage. The resistance provided by the conducting channel in an IGBT is too much smaller, leading to much higher current ratings than for an similar power MOSFET.


IGBTs are the best choice for switching current on and off in high power applications. IGBTs are made for use in power applications above 1kW, the point at which BJTs and standard MOSFETs reach their limits, switching at frequencies between 1kHz and 20 kHz. Low voltage applications (<600V) tend to be high volume consumer oriented, for example to control motor drives for washing machines. Key applications include automotive (electric vehicles), rail traction equipment and industrial motor drives, where operating voltages are higher – 1200V or 1700V are typical of the standard ranges available. In numerous applications, rather than using more than one discrete devices, IGBTs are associated into modules, to provide full circuits for particular power control.

Thursday, May 25, 2017

IXYS UK Westcode Introduce It’s Greatest Ever Current Rating IGBT

IXYS UK Westcode have today introduced the maximal true current rating press-pack IGBT available that is set to break new ground in power handling capability of an individual device. The latest symmetric blocking device with a incessant DC rating of 2.8Kv has a unprecedented DC current of 6000A. The latest device has been aided by IXYS UK’s comprehensive expertise in making and understanding the principles of very big press-pack IGBTs with more than one parallel die. The recently developed 4.5Kv devices include vindicated SPT plus die technology and are built using 52 parallel connected IGBT die, 10 more than the biggest established part with a current rating of 2400A at the same 4.5Kv blocking voltage. Every die is 14.3mm square with an active area of nearly one centimetre squared. The latest device encapsulated in completely sealed 26mm thick with a 132mm electrode diameter, bigger than the traditional 2400A device, but keep up the similar 170mm in-total diameter as the 42 die design; this provides an effective 25% more current rating in the same package.

The sturdy internal development is without bond with the single die straight away pressure contacted through metallic pressure plates to the outside copper electrodes. The outright bond free contact confirms maximum reliability and unparalleled thermal cycling properties, far exceeding those of a conventionally packaged plastic package module. In particular, the short circuit failure mode makes these devices the obvious choice for applications requiring series operation, such is the case in utilities, HVDC and very large medium voltage drives. The unrivalled current rating can also reduce the number of parallel paths required in very high current applications in the multi megawatts range. Generally, these devices are well suited to harsh environments and where maintenance access is difficult such as off-shore marine and wind. The hermetic structure and high rupture resistance are properties which are particularly relevant in harsh environments where explosive failure and plasma leak are unacceptable, such as mining, gas and oil instillation. The package design is based on IXYS UK’s proven technology, with the same conveniences of enhanced rupture capability, resisting more than ten times the short circuit energy of a conventional plastic packaged module device and the additional advantage that the device is virtually guaranteed to fail to a stable short circuit. These unique properties make the new device an ideal solution where high reliability, maximum power density and predictable failure are important. To facilitate the application of this new higher rated press-pack IGBT, IXYS UK Westcode has also launched a new complementary diode in its range of very high di/dt HP Sonic FRDs. This new diode is constructed using a new die bonding technology to maximize reliableness.

Packaged in an 85mm electrode 26mm thick package the diode is pressure compatible with the press-pack IGBT so it can be mounted in the same series string for compact three level inverter configurations. Part number designations for this reverse conduction press-pack IGBTs is T2960BB45E & the compatible HP Sonic FRD is part number E3000TC45E. Typical applications for these devices include: utilities and HVDC applications such as, flexible AC transition systems, HVDC transition, Statcoms, VSC SVC etc; medium voltage AC drives for harsh environments and ultra-high power, such as mining, marine and off shore g, gas and oil installations; renewable energy for wind turbines, hydro generation, wave generation and solar; plus, any application where high power density and reliableness is necessary.

Sunday, May 21, 2017

Pronósticos del mercado del Us IGBT Transistor 2017-2021

IGBTTransistor Market Report Forecast 2017-2021 es una fuente respetada de datos perspicaces para los planificadores de negocios. US IGBT Transistor Market proporciona la visión general de la industria con análisis de crecimiento y datos históricos, futurísticos y de costos, ingresos, demanda y oferta.

Los analistas de investigación proporcionan una descripción elaborada de la cadena de valor y su análisis de distribuidor. Este estudio del informe de la industria del mercado de transistores de IGBT proporciona análisis basados ​​en regiones geográficas, fabricantes, aplicaciones, tipos, controladores, oportunidades y desafíos que mejoran la comprensión, el alcance y la aplicación de este informe.

La parte siguiente del informe del análisis del mercado de los transistores de IGBT de los EEUU habla sobre el proceso de fabricación. El proceso se analiza a fondo con respecto a tres puntos, a saber. Proveedores de materias primas y equipos, varios costos asociados a la fabricación (costo del material, costo de mano de obra, etc.) y el proceso real.

Después de la información básica, el informe arroja luz sobre la producción, las plantas de producción, sus capacidades, la producción de EE.UU. y los ingresos se estudian. Además, el crecimiento del mercado de transistores IGBT de EE.UU. en varias regiones y el estatus de I + D también están cubiertos.

Mercado del transistor de IGBT por la aplicación y como debe ser aplicado :

Unidades de motor de aparatos
Motores eléctricos para vehículos eléctricos
Convertidores de corrección de factor de potencia
Fuente de poder ininterrumpida
Inversores solares
Soldadores de Alta Frecuencia

Calentadores Inductivos

Wednesday, May 17, 2017

IGBTS y su crecimiento en mercados internacionales

Geográficamente, este informe está segmentado en varias Regiones clave, con producción, consumo, ingresos (millones de USD), cuota de mercado y tasa de crecimiento del Transistor IGBT en estas regiones, de 2012 a 2022 (pronóstico), cubriendo

Estados Unidos
UE
China
Japón
Corea del Sur
Taiwán

La competencia de los transitores en su mercado y dividida y escatimada por los principales fabricantes, con producción, precio, ingresos (valor) y cuota de mercado para cada fabricante; Los mejores jugadores, incluyendo

Infineon
En semiconductores
Fairchildsemi
Microsemi
Vishay
Powerex
Mitsubishi
Hitachi
Pastilla
TEJIDO
Rectificador Internacional
IXYS
STMicroelectronics


Actualmente se espera que mas paises y continentes se sumen a la iniciativa que  implica triplicar tus ganancias con un producto de facil salida.

Monday, May 15, 2017

DETALLE DE MERCADO NOS INDICA EL PORQUE DEBEMOS INVERTIR EN LOS IGBT

El mercado del transistor bipolar de la puerta aislada (IGBT) proporciona datos detallados del nivel del segmento de mercado en el mercado internacional. El informe de mercado del transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) trata los patrones de pronóstico y crecimiento por empresa, regiones y tipo o aplicación de 2017 a 2021.

El mercado mundial de transistores bipolares de puertas aisladas (IGBT) está valuado en USD XX millones en 2016 y se espera que alcance millones de dolares a fines de 2022, creciendo a un capacidad que  supera el porcentaje anual en referencia de costo e inversión.

El informe de investigación de mercado del transistor bipolar de la puerta aislada (IGBT) incorpora el análisis de las definiciones, de las clasificaciones, de las aplicaciones y de la estructura de cadena de la industria. Además, el informe de mercado del transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) también consiste en tendencias de desarrollo, análisis de paisaje competitivo y estado de desarrollo de regiones clave.


El informe comienza con una visión general básica del mercado del transistor bipolar de la puerta aislada (IGBT). También actúa como una herramienta vital para las industrias activas en toda la cadena de valor y para los nuevos participantes al permitirles aprovechar las oportunidades y desarrollar estrategias de negocio que son actualmente necesarias para sobrevivir en el competitivo mundo empresarial, los IGBTS son faciles de vender y negociar, son algo, que sin duda no se quedara frio en sus bodegas y tendra amplia salida,

Wednesday, May 10, 2017

Puertos de controladores de poder integrado de POWER INTEGRATIONS

Los nuevos controladores de compuerta IGBT SCALE-2 de Power Integrations incluyen aislamiento galvánico, protección y conversión DC / DC en un solo módulo, y son adecuados para impulsar mosfets de potencia y dispositivos basados ​​en nuevos materiales tales como carburo de silicio (SiC) que operan a frecuencias de conmutación A 500 kHz.

Estan disponible a través de los implementos tipo  Mouser, cada tipo se basa en un conjunto de chips asic que integra la funcionalidad completa de un núcleo de controlador de puerta de canal dual en una interfaz de lógica a controlador de chip de lado primario y un controlador de puerta inteligente de chip secundario.

Están disponibles con capacidades de voltaje de bloqueo de 600V a 6,500V y de 1W a 20W por unidad de canal.

Para asegurar un rendimiento óptimo para la conducción directa de elementos DMOS externos de tipo n, las etapas de pre-excitador de cada uno de los módulos incorporan resistencias de compuerta separadas para un control independiente de la funcionalidad de encendido / apagado.


Existen opciones de canal único y doble, y se esperan aplicaciones en el sector industrial, control de motores, transmisión de energía, tracción, solar, eólica y automotriz.

Tuesday, May 9, 2017

Empresa IXYS lanza al mercado 1700V y 2500V XPT™

IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS), fabricante de semiconductores de potencia y circuitos integrados para aplicaciones de eficiencia energética, gestión de potencia y control de motores, ha anunciado hoy el lanzamiento de 1700V y 2500V XPT ™ IGBT para aplicaciones de administración de energía. Con las clasificaciones actuales que van desde 26A a 178A, los dispositivos son bien adecuados para alta tensión ("HV"), tambien inclutyen aplicaciones de alta velocidad de conversión de energía. A su  vez están disponibles dispositivos que están empaquetados con diodos rápidos antiparalelos.

IXYS tiene una larga trayectoria en la introducción de IGBTs de vanguardia y ha sido pionero en el diseño y aplicaciones de IGBT HV en la gestión de energía, especialmente en los mercados de transporte, médicos e industriales. Diseñados con la tecnología patentada IXYS Extreme-Light Punch-Through (XPT ™) y los procesos IGBT de última generación, estos nuevos dispositivos muestran cualidades tales como resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía, Velocidad. Además, gracias al coeficiente de temperatura positivo de su tensión en el estado, los nuevos IGBTs de alto voltaje se pueden utilizar en paralelo, lo que proporciona soluciones rentables en comparación con los dispositivos de baja tensión conectados en serie. Esto resulta en consecuencia en la reducción de los circuitos de accionamiento de compuerta asociados, simplicidad en el diseño y mejora en la fiabilidad del sistema global.

Los diodos opcionales de recuperación rápida co-embalados tienen un tiempo de recuperación inversa bajo y se optimizan para producir formas de onda de conmutación suaves y interferencia electromagnética (EMI) significativamente más baja.

Hay una serie de alto voltaje ("HV"), de alta velocidad de aplicaciones de gestión de energía que pueden beneficiarse de la utilización de estos IGBT. Entre ellos se encuentran los convertidores HV, inversores, circuitos de impulsos de potencia, generadores de láser y rayos X, fuentes de alimentación HV, equipos de prueba HV, circuitos de descarga de condensadores, aplicaciones de conmutación médica, protección de circuitos HV e interruptores HV AC.


Los nuevos IGBTs XPT ™ están disponibles en los siguientes paquetes de tamaño estándar internacional: SOT-227, TO-247, PLUS247, ISOPLUS i5-Pak ™, TO-247HV, TO-247PLUS-HV y TO-268HV. Los tres últimos han aumentado las distancias de fuga entre los conductores, haciéndolos robustos contra tensiones más altas. Algunos ejemplos de números de parte incluyen IXYH24N170C, IXYN30N170CV1, IXYH30N170C, y IXYH25N250CHV, con colectores de corriente nominal de 58A, 88A, 108A y 95A, respectivamente.

Wednesday, May 3, 2017

Global IGBT & Thyristor Market 2017 - Fairchild Semiconductor, Semikron, Hitachi, Mitsubishi Electric, Infineon

Deerfield Beach, FL -- (SBWIRE) -- 03/15/2017 -- The Global IGBT & Thyristor Market 2017 Industry Research Report is a in-depth study and professional analysis on the current state of the IGBT & Thyristor market.

IGBT & Thyristor Market Report Details:

Firstly, Worldwide IGBT & Thyristor Market report provides a basic overview of the IGBT & Thyristor industry including classification, definitions, Key vendors, Growth Drivers, Competitive Landscape, Regional Analysis and IGBT & Thyristor industry chain structure.

Global IGBT & Thyristor Market analysis is provided for the international industry including company development history, IGBT & Thyristor market competitive landscape, Regional analysis and major regions development status on industry Market scenario.

Secondly, IGBT & Thyristor Market report includes, development policies and plans are discussed, manufacturing processes and cost structures. This IGBT & Thyristor Industry report also states import/export, supply and consumption figures as well as cost, price, Global IGBT & Thyristor Market revenue and gross margin by regions (South East Asia, India, North America, Europe, Japan and China) and also other can be added.

Then, the report pay attention on worldwide major leading market players (in IGBT & Thyristor industry area) with information such as Company Profile, Sales Volume, Price, Gross Margin and contact information. Global IGBT & Thyristor Industry report also includes Upstream & downstream consumers analysis, raw materials.