Aparatos que llevan a la
tecnología a un nuevo nivel, usando SIC MOSFETS permite conversión para
operar al triple o más, el cambio de la frecuencia conducen
a beneficios, algo que era imposible hasta ahora, Dr. Helmut Gassel, presidente
de Infineon´s Industrial Power Control dijo “que estos aparatos lograron
un nuevo nivel que jamás antes había sido posible llegar, son más pequeños y
contienen un ligero sistema para menos transportación y más fácil
instalación”.
Así como llegamos a una
nueva era llena de nuevas posibilidades que la tecnología siga cambiando, los
SIC MOSFETS son una prueba de ello, optimizado para combinar fiabilidad con
rendimiento. Operan en una magnitud más baja que 1200 V, esto reduce las
perdidas y también apoyan al mejoramiento del sistema en aplicaciones como
Fotovoltaico inversores y sistemas de carga/almacenamiento entre otros,
esto también extiende el apoyo a drivers industriales y a la durabilidad
de la vida de los aparatos.
Los MOSFITS son
compatibles con +15 V/-5V voltage usados para conducir IGBTs, su estructura
combina rango de voltaje de umbral de referencia
(V th) de 4V con un corto circuito robusto que es requerido por
la aplicación y totalmente controlable características dv/dt.
Esto inicialmente apoya a mejoras del sistema en aplicaciones como
Fotovoltaico inversores y sistemas de carga/almacenamiento entre otros, esto
también extiende el apoyo a drivers industriales también se extiende a
controladores industrials.
La última evolución
de la familia Infineons de SIC Technology incluye schottky diodes,
1200 V J- FET aparatos y una gama de soluciones hibridas que integra una
mejor carga de la batería, ahorro de energía y la integración de un cuerpo
robusto de conmutación diodo funcionamiento.
Para Infineon esto
es la culminación de años de experiencia y mejoras, realmente algo para tener a
la vista.
No comments:
Post a Comment