Asumiendo
el punto de interés es la potencia MOSFETS y no las pequeñas
señales MOSFET y silicio (lo contrario a SIC, GAN).
Hay
que estar atentos que algunos IGBT drivers también tienen la
opción de desactivar la tensión (para que los cambios sean más rápidos).
La
primera característica que tenemos que chequear es la tensión de salida. Para
los dispositivos de potencia deben de ser 0V a 12-15V (acpl-312T) para
atender a los umbrales de puerta alrededor 4V (Además de ser capaz de conducir
a 15V Si activación de miller es una preocupación).
Tal
como un Driver MOSFET conduciendo un IGBT e igualmente un driver IGBT conducir
un MOSFET debe de estar bien.
La
siguiente característica debe tener una corriente máxima. IGBT tendrá
significantemente una mayor capacidad de puerta y como tal requiere
mayores corrientes de pico para asegurar que el dispositivo se satura tan
rápido como sea posible. Lo contrario a esto sería que los MOSFETS se
puedan cambiar más rápido y como tal la actual demanda de rms de conducir
un MOSFET podría ser más alta.
La
corriente más alta o cambios más altos de frecuencia afecta la potencia
de la capacidad de los Drivers.
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