Los semiconductores de potencia, entre ellos
los IGBT, están ganando aceptación debido a su implementación en muchos tipos
de aplicaciones de alta tensión. Sin embargo, se espera que estos componentes
alcancen una alta eficiencia y fiabilidad además de mantener unos bajos niveles
de pérdidas. Al ampliar su gama existente, formada por IGBT para alta corriente
e IGBT con una menor tensión de saturación y una conmutación más rápida, Rohm
presenta ahora su 3ª generación de IGBT para una alta eficiencia. Los nuevos
dispositivos utilizan una estructura de oblea más fina, así como tecnologías de
atenuación de campo y estructura propia de puerta de zanja para obtener las
prestaciones más avanzadas con el fin de cubrir la creciente necesidad de
conmutación a alta frecuencia. Los nuevos IGBT de 650V de 3ª generación de
Rohm, basados en una estructura avanzada de atenuación de campo, ofrecen un
menor gradiente de concentración de portadores en la región de deriva que
permite mejorar la distribución de los portadores. Gracias a ello es posible
reducir la tensión de saturación y aumentar la velocidad de conmutación,
logrando así un excelente compromiso entre la tensión de saturación y las
pérdidas en el paso a corte, a diferencia de las soluciones convencionales.
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