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Thursday, September 29, 2016

CM800DZ-34H - A Successful HVIGBT Module from Mitsubishi - SPANISH

Los módulos de Mitsubishi Electric  son  IGBTs y diodos de alto voltaje ; con la gama completa de 1.7kV, 2,5 kV, 3.3kV,  y versiones de 4,5 kV y 6,5 kV en su serie, han  ganado amplia aceptación en muchas aplicaciones de alta potencia de propulsión diferentes, tales como el sector ferrocarril  que es de la potencia de transmisión / distribución y grandes unidades industriales, que la demanda de mayores corrientes nominales, las tensiones nominales y los rangos de temperatura de la unión operación más amplia.

Tras el éxito de la serie H existente, Mitsubishi Electric presenta la nueva serie R de IGBT  para reducir las pérdidas de baja potencia y aumenta la intensidad nominal, manteniendo la compatibilidad mecánica con la serie ya existente. Con la certificación internacional de tren de Industria Estándar (IRIS), Mitsubishi Electric ha demostrado y garantiza la calidad de los productos de alto voltaje para el mercado de tracción. Hoy vamos a hablar de un dispositivo de generación de HVIGBT anterior de Mitsubishi. El CM800DZ-34H.

Descripción del producto:

TRANSISTOR DE POTENCIA MÓDULO IGBT (800 Amp, 1700 voltios), las unidades de tracción APLICACIÓN 3º-Versión HVIGBT (alto voltaje bipolar de puerta aislada Transistor) Módulo,, alta fiabilidad Convertidores / Inversores, interruptor de CC

100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA

Información Adicional:

Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas:

Módulo IGBT Transistor de energía - Ver más en: http://www.mitsubishimodules.com/product/cm800dz-34h/
CM800DZ-34H - Mitsubishi módulo IGBT Transistor

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Wednesday, September 28, 2016

CM600HB-24A and It’s Advantages as an IGBT - SPANISH

El modulo CM600HB-24A es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de la Mitsubishi Electric Corp., casa Japonesa que ha diseñado y fabricado este artefacto. Es un dispositivo de portadores minoritarios con alta impedancia de entrada y la capacidad de conducción de corriente bipolar grande. Muchos diseñadores consideran IGBT como un dispositivo con características de entrada MOS y característica de salida bipolar que es un dispositivo bipolar controlado por tensión. Para hacer uso de las ventajas de ambos Power MOSFET y BJT, el IGBT se ha introducido. Es una integración funcional de los dispositivos de potencia MOSFET y BJT en forma monolítica. Se puede controlar fácilmente en comparación con los modulos controlados actuales (tiristores, BJT) en aplicaciones de alta corriente de alta tensión y. También tiene una excelente capacidad de avance y retroceso de bloqueo. Los detalles de CM600HB-24A se discuten a continuación.

Descripción del producto:

IGBTMOD módulo individual A-Series 600 Amperios / 1200 voltios. Cada módulo consta de un transistor IGBT en una sola configuración con un revés conectada recuperación súper rápido de rueda libre diodo. Todos los componentes e interconexiones que están aislados.

100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA

Información Adicional:

Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas:

Módulo IGBT El transistor de potencia
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CM600HB-24A - Mitsubishi módulo IGBT Transistor

Monday, September 26, 2016

CM600HA-24H in X-Ray Machines - SPANISH

En los últimos años, los módulos de semiconductores de potencia lograron las mayores ganancias, impulsado por niveles inusualmente altos de crecimiento en el mercado de UPS, equipos médicos, calentamiento por inducción, soldadura y también en el campo de la energía renovable.

De los rayos X  que tienen funciones de suministro de potencia de la máquina a voltajes muy altos (20 a 150 kV), mientras que la entrega de corriente adecuada para generar el haz de rayos X necesario para crear imágenes. La tensión de CA de entrada se rectifica y se alimenta a un inversor resonante PWM de alta frecuencia que se basa en transistores IGBT Mitsubishi. Esto permite el uso de un transformador de alta frecuencia para crear las muy altas tensiones necesarias para el funcionamiento del tubo de rayos X, manteniendo el tamaño y el peso pequeño. La salida del transformador de alta frecuencia es rectificada para generar la tensión de corriente continua deseada para el tubo de rayos X. La respuesta dinámica de la fuente de alimentación de rayos X debe ser rápido y su tensión de salida DC debe alcanzar el estado de equilibrio en un tiempo corto para evitar el ruido y los defectos de la imagen de rayos X en. Estos requisitos se pueden cumplir mediante el uso de un Mitsubishi IGBT PWM basado inversor resonante. CM600HA-24H es el módulo IGBT que se puede aplicar en esta aplicación.

Descripción del producto:

IGBTMOD 600 Amperios / 1200 voltios, Módulos IGBT transistor de potencia de conmutación de potencia ALTA TIPO AISLADO USO, 1200V VCES, 600 Amperios individual IGBT MÓDULO TRANSISTOR DE POTENCIA. Tipo Corriente nominal VCES. Voltios Amperios x 50 cm 600 24

100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA

Información Adicional:

Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas:

Módulo IGBT El transistor de potencia
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CM600HA-24H - Mitsubishi módulo IGBT Transistor

Sunday, September 25, 2016

CM600HA-5F - An IGBT from Mitsubishi - SPANISH

La segunda mitad del siglo 20 vio el nacimiento de la electrónica de potencia, que ha tomado rápidamente una posición importante en la infraestructura de apoyo a todos los sectores de la industria. sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) se han vuelto indispensables como fuentes altamente confiables de energía para los ordenadores y equipos de comunicación de los que depende nuestra sociedad que se orienta a la información cada vez mas, las unidades a  control de velocidad variable han mejorado la productividad de la fábrica y hecho contribuciones significativas a la reducción de la demanda de energía. Una vez más, el control de tracción de trenes eléctricos proporciona un medio eficaz de transporte de masas de alta velocidad y equipos de electrónica de potencia, tales como HVDCs, STATCOMs y filtros activos juegan un papel importante en la mejora de la eficiencia de la operación y la calidad del servicio para la transmisión de servicios eléctricos y sistemas de distribución.

la tecnología de producción del gigante de la tecnología japonesa Mitsubishi Electric para dispositivos de potencia de diámetro más grandes del mundo ya ha establecido su líder-buque en el aumento de la capacidad de este tipo de dispositivos. La sociedad utilizará estos dispositivos de alimentación de alta capacidad en los equipos de electrónica de potencia vital para el control de grandes cantidades de energía eléctrica. Al permitir el control rápido y flexible de los sistemas de energía eléctrica enteras, y la operación de alta eficiencia energética de los motores de alta potencia, esto ofrecerá un enorme ahorro en el consumo energético. CM600HA-5F es un transistor  de corriente aislada de Mitsubishi que se utiliza en el propósito de control de motores AC / DC y de conmutación rápida. Los detalles se dan a continuación.

Descripción del producto:


IGBT-MIP serie - Módulos de Potencia Inteligente, 600 amperios, 250 voltios, Trench Puerta Diseño Solo IGBTMOD 600 amperios / 250 voltios, tipo de MITSUBISHI IGBT MÓDULOS DEL TRANSISTOR DE POTENCIA DE ALTA POTENCIA utilizar el cambio aislado, Trench Puerta Diseño Solo IGBTMOD 600 Amperios / 250 Voltios.

Thursday, September 22, 2016

CM600E2Y-34H in Dynamic Braking Choppers – SPANISH

El frenado dinámico requiere de dos componentes: el instalado en fábrica llamado chopper y la resistencia de frenado externa. El chopper de frenado consiste en función de acopio  del modulo IGBT (que está montado en fábrica, internamente en el convertidor de frecuencia (AFD) ). El CM600E2Y-34H es un transistor bipolar de puerta aislada muy conveniente para usar en las choppers de frenado dinámico.La helice tipo helicóptero  controla la tensión del circuito intermedio mediante la conexión de la resistencia de freno a través del enlace cuando la tensión alcanza un nivel predeterminado, disipando la energía excesiva en la resistencia de freno. El tamaño del chopper de frenado se fija por el calibre del variador. La resistencia de freno se selecciona sobre la base de la calificación AFD, la magnitud de la energía se disipe, y el ciclo de trabajo de frenado.

Descripción del producto

MITSUBISHI HVIGBT TRANSISTOR DE ENERGÍA módulos, HVIGBT (alto voltaje bipolar de puerta aislada Transistor) Módulo de conmutación de potencia, ALTA TIPO AISLADO USO, 600 AMP, 1700 voltios, Interruptores de la CC APLICACION, choppers de frenado dinámico

Presupuesto
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
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Información Adicional:

Marca
Mitsubishi
Las solicitudes de destino
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas:

Módulo IGBT El transistor de potencia
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CM600E2Y-34H - Mitsubishi IGBT Transistor modulo

Wednesday, September 21, 2016

CM400HA-34H vs BJT and PIN DIODE - SPANISH

El CM400HA-34H es un módulo de transistor de puerta aislada biopolar. Creado por  Mitsubishi Corporation, Japón. Este módulo tiene algunas ventajas sobre los diodos PIN y los BJT. No tiene el tiempo de recuperación inversa como su competencia, esto provoca la pérdida de potencia. No requiere de corriente de control sustancial y Apagado , o cual no genera tiempo de retraso de almacenamiento como los BJT, así que no hay problemas de eficiencia. por lo tanto,el tiempo  tiempo de almacenamiento máximo  es mas rapido y sin desvío sustancial de  frecuencias de conmutación, a contrario de los BJT, el CM400HA-34H es un módulo controlado por tensión y alta entrada de dispositivo de impedancia que es más fácil que el control actual de BJT. Su capacidad de potencia es diez veces mejor que los MOSFET de potencia o BJT.

En las aplicaciones de conmutación rápida como el control de motores de CA / CC, inversores, etc este módulo es ideal. Mitsubishi ha hecho un gran trabajo con él. Los detalles se han discutido a continuación

Descripción del producto:

400 Amp, 1700 voltios RECTIFICADOR SOLA 600V 75A, el tipo IGBT MÓDULOS transistor de potencia ALTA POTENCIA utilizar el cambio aislado, individual IGBTMOD 400 Amperios / 1700 voltios. Cada módulo consta de un IGBT en una sola configuración con una recuperación muy rápida sin rueda conectada inversa

Presupuesto
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
descargar hoja de

Información Adicional:

Marca
Mitsubishi
Las solicitudes de destino
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas:

Módulo IGBT El transistor de potencia
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CM400HA-34H - Mitsubishi módulo IGBT Transistor

Tuesday, September 20, 2016

CM400DY-66H and It’s Contribution to the Green World – SPANISH

La necesidad de conservar los recursos natural, de reducir las emisiones de toxicidad y de incrementar la eficiencia energetica se ha convertido en  en un asunto de preocupación mundial, el problema mundial mas grande reside en la dependencia que se tiene actualmente del aceite (petroleo) y de los cambios de clima,  la demanda electrica continua  haciendo estragos, de acuerdo a  la asoción de energia internacional, Se espera que la demanda mundial de electricidad se incremente en un 60% en los proximos 20 años

Los vehiculos moviles son grandes contribuidores de emisiones de CO2, consecuentemente, el foco de eficiencia energetica se emplea en los autos, el creciente numero de carros en nuestras carreteras cada año forza a la industria y sus politicas en explorar alternativas que traigan consigo menos rastro de CO2

La introducción masiva de autos electricos es una manera de reducir notablemente las emisiones de dioxido de carbon, muchos fabricantes usan el modulo CM400DY-66H en sus unidades en los autos electricos

Descripción:

HIGH POWER SWITCHING USE, Dual IGBTMODIGBT A-Series module, 400 Amp, 1200 Volt. Each module consists of two IGBT Transistors in a halfbridge configuration with each transistor having a reverse-connected super-fast recovery free-wheel diode

Modulo de poder de alto rango y de alto nivel de cambio, dual IGBTMODIGBT series modulo A, 400 amperios, 1200 voltios, consiste de dos modulos igbt, transistores en configuracion de medio puente, cada transistor teniendo un reverso de recuperación super rapida y diodo giratorio

Specifications:

100 Amp, 600 Volt, POWER TRANSISTOR
Marca
Mitsubishi

Aplicaciones target:

Invertores; DC motor control; Switching power supplies; AC motor control

IGBT Power Transistor Module

Monday, September 19, 2016

CM400DY-12E in UPS Inverters – SPANISH

Los rectificadores de perdida baja simple( SCR ) son utilizados por los antiguos UPS de tecnología. Sin embargo, tanto el convertidor y el filtro de salida tienen grandes pérdidas. El inversor tiene una tensión comparativamente alta de CC para el voltaje de CA producida. Debido a que la batería se encuentra en este nodo y el inversor debe ser capaz de generar también que la tensión en el extremo de descarga para la batería. Dado que las pérdidas de conmutación IGBT están equilibrados en tensión de CC, este esquema podría causar pérdidas de conmutación altas. El filtro de salida utiliza la inductancia de fuga del transformador de salida. Esto significa que tanto la primaria y secundaria deben llevar las corrientes de alta frecuencia PWM.

Los nuevos  modulos SAI utilizan la tecnología del CM400DY-12E (un convertidor IGBT), tanto para el rectificador y el inversor. Estos dos deben funcionar a altas frecuencias PWM, que es la causa de las elevadas pérdidas que aveces suelen tener los rectificadores.

Descripción del producto

Los IGBT de potencia Módulo de potencia del transistor, 400 amperios, 600 voltios
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA

Información Adicional

Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas

Módulo IGBT El transistor de potencia
CM400DY-12E - Mitsubishi módulo IGBT Transistores

Saturday, September 17, 2016

CM300DU-24F - A Cross Between Bipolar Transistors and MOSFETs - SPANISH

Los transistores bipolares requieren una corriente de base alta para encender, tiene características de apagado relativamente lentos (conocido como cola actual), y es portador de una fuga térmica considerable debido al coeficiente térmico. Por otro lado, el MOSFET es un dispositivo que es de voltaje, no es controlado por corriente. Por lo tanto los MOSFETs tienen un coeficiente de temperatura positivo, que detiene la fuga térmica. Los controles de dicho aparato actuan sobre el estado de la resistencia  que no tiene límite teórico; por lo tanto, en el estado de pérdidas pueden ser mucho más bajo.

Mitsubishi Electric Corporation, Japón es bien conocida por sus componentes y equipos eléctricos de calidad superior. El CM300DU-24F es un módulo IGBT de Mitsubishi, que es un cruce entre los transistores bipolares y los  MOSFET.  El CM300DU-24F tiene las características de conmutación de salida y la conducción de un transistor bipolar, pero es controlado por voltaje como un MOSFET. En general, esto significa que tiene las ventajas de alta corriente capacidad de manejo de un bipolar con la facilidad de control de un MOSFET.

Descripción del product:

Módulo de transistores IGBT POWER, 300 Amp, 1200 voltios. ALTA POTENCIA utilizar el cambio. APLICACIÓN variadores para fines generales y controles servo, etc.

100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos

Información Adicional:

Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas:

Módulo IGBT El transistor de potencia

CM300DU-24F - Mitsubishi módulo IGBT Transistor

Wednesday, September 14, 2016

CM200DY-24NF in Ultracapacitor Bank Control - Spanish

En el modulo CM200DY-24NF se simula un sistema de control del banco de ultracondensadores para un vehículo eléctrico. El propósito de este dispositivo es permitir mayores aceleraciones y desaceleraciones del vehículo con una mínima pérdida de energía, y la degradación mínima de la batería principal. El sistema utiliza un convertidor Buck-Boost IGBT, que está conectado al banco de ultracondensadores en el lado de impulso, y a la batería principal en el lado de Buck. En este campo,  Mitsubishi hizo IGBT CM200DY-24NF  que se puede emplear con éxito en todas sus funciones como; El control del sistema mide el voltaje de la batería, la carga del estado de la batería, la velocidad del coche, las corrientes instantáneas en ambos terminales (carga y ultracondensadores), y la tensión real de la ultracondensadores. Esta última indicación permite conocer la cantidad de energía almacenada en el ultracondensadores.

Descripción del product

MITSUBISHI IGBT MÓDULOS transistor de potencia IGBT, TRANS MÓDULO TRANSISTOR DE POTENCIA N-CH 1200V 200A
Presupuesto
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
descargar hoja de

Información Adicional

Las solicitudes de destino
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas

Módulo IGBT El transistor de potencia
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CM200DY-24NF - Mitsubishi IGBT Transistor modulo

CM100TU-24H and Its Use in Petroleum Sector - SPANISH

La industria del petróleo se caracteriza por localizar y extraer petróleo de yacimientos cada vez más profundos bajo la superficie de la tierra. Debido a la alta viscosidad y la inclusión de asfalto, la extracción de petróleo de bajo tierra usando pozos de petróleo es difícil. El riego con agua caliente, la adición de productos químicos, o calefacción eléctrica de las tuberías puede reducir la viscosidad. El bajo costo de la tecnología de calefacción eléctrica ha promovido su amplio uso en la industria petrolera.

Se necesita una configuración básica para el calentamiento del tubo de aceite. En esta configuración, la alimentación de CA se convierte en un bus DC por la etapa rectificadora y luego invierte utilizando los IGBTs. El conjunto tiene ventajas de pequeño volumen y peso ligero debido al uso de IGBT en el sistema del inversor. El CM100TU-24H es un módulo IGBT que es un gran uso de estos inversores.

Descripción del producto

Seis IGBTMOD 100 Amperios / 1200 voltios, Módulos IGBT transistor de potencia ALTA POTENCIA SWITCHI
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos
Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas

Módulo IGBT El transistor de potencia
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CM100TU-24H - Mitsubishi módulo IGBT Transistor

Friday, September 9, 2016

CM75DY-12H is a Great Choice as an IGBT – SPANISH

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida.Se emplean en muchos actualmente en muchos aparatos modernos como; los coches eléctricos, trenes, refrigeradores de velocidad variable, acondicionadores de aire e incluso los sistemas estéreo con amplificadores de conmutación. Puesto que está diseñado para pasar rápidamente del modo en apagado, los amplificadores que utilizan a menudo sintetizan formas de onda complejas con filtros de modulación de ancho de pulso y de paso bajo.

El IGBT es un invento bastante reciente. Mitsubishi ha fabricado diferentes tipos de transistores IGBT y el CM75DY -12H también está hecho por ellos. Es un módulo duro con excelente robustez y tolerancia a las sobrecargas.

Descripción del producto

Módulo transistor de potencia, doble IGBTMOD 75 Amperios / 600 Voltios, ALTA POTENCIA utilizar el cambio TIPO AISLADO DE LOS MÓDULOS DEL TRANSISTOR DE POTENCIA IGBT. La división de modulos Mitsubishi trae un  IGBT transistor de potencia que esta diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación. Cada módulo consta de dos IGBTs en una configuración de medio Puente

100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA
Ficha de datos

Información Adicional

Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas

Módulo IGBT El transistor de potencia

CM75DY-12H - Mitsubishi módulo IGBT Transistor

Thursday, September 8, 2016

CM20MD-12H - An Excellent IGBT Transistor from Mitsubishi - SPANISH

Debido a sus ventajas en términos de conmutación rápida, robustez, simplicidad de control de puerta y la facilidad de uso, el uso de módulos de Mitsubishi IGBT está muy extendida. Estos también tienen un fácil montaje y construcción, Mientras que el modulo IGBT puede limitar y conmutar corriente debido a fallos normales, el medio de tracción puede presentar situaciones en las que la energía extensa se lleva a cabo a través del módulo. En comparación con otras soluciones alternativas, estos pueden reducir de 40 a 50% en el costo del inversor, el peso y volumen. Sin embargo, la operación de conmutación rápida requiere una atención especial para reducir la inductancia de circuito para evitar la sobretensión en la conmutación. Otra consideración que es una cuestión que vale la pena mencionar es la capacidad del módulo para gestionar fallos sin permitir  la extensa ruptura o explosión de los circuitos.

El CM20MD-12H es un módulo de este tipo que se aplica en diversos campos de la vida cotidiana. Este módulo también posee la misma calidad por la que es famoso por Mitsubishi.

Descripción del product:

MITSUBISHI IGBT TRANSISTOR DE ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE LA ENERGÍA MEDIA utiliza Cambio TIPO AISLADO, CIB Módulo trifásico de convertidor inversor trifásico de freno 20 Amperios / 600 Voltios

100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA

Información Adicional:

Marca
Mitsubishi
inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas:

Módulo IGBT El transistor de potencia
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CM20MD-12H - Mitsubishi IGBT Transistor modulo

Wednesday, September 7, 2016

Benefits of CM150DY-12NF Over MOSFETs – SPANISH

El gigante nipon Mitsubishi is mundialmente conocido por su calidad superior en cuanto a  sus modulos IGBT, hoy discutiremos acerca del CM150DY-12NF que es un modulo IGBT dual e mitsubishi CM150DY-12NF tiene una serie de ventajas sobre el MOSFET y el BJT, estas son sus ventajas:

1.)   Tiene una caida de voltaje muy baja debido a la modulación de su conductividad  y tiene una  densidad de corriente estatica tan pequeña que inclusive el tamaño del chip podria ser reducido

2.)    Bajo poder de conducción y conectividad , debido a la estructura del input MOS y su puente, puede ser facilmente controlado a comparación (transitores y BJT) en alto voltaje y alta corriente

3.)   Amplio SOA, tiene una capacidad de conducción muy superior comparada con los transistores bipolares y una excelente capacidad de bloqueo de reversa.

Descripción del producto:

Serie de modulos duales IGBTMOD-NF, 150 amperes/ 600 voltios, cada modulo consiste de dos transistores IGBT en una configuración de medio puente, acda transistor posee una conectividad reversa de rapida recuperacion y un  diodo de rueda suelta,

Especificaciones:

100 Amp, 600 Volt, POWER TRANSISTOR

Aplicaciones:


Invertores; DC motor control; Switching power supplies; AC motor control

Saturday, September 3, 2016

Toshiba Dispatches Opto-Disengaged IGBT Entryway Pre-Driver IC for In-Vehicle Inverters

TOKYO- - (BUSINESS WIRE)- - Toshiba Organization's (TOKYO:6502) Stockpiling and Electronic Gadgetshttp://www.uscomponent.com/ Arrangements Organization today reported the dispatch of "TB9150FNG," an opto-separated IGBT[1] door pre-driver IC with different upgraded defensive capacities for the in-vehicle inverters of electric and a half and half vehicles.

"Resolved to Individuals, Focused on what’s to come"

Test shipments begin today, with large scale manufacturing planned to begin in 2018. The IC will be showcased at "TECHNO-Boondocks 2016" to be held from 20 to 22 April at Makuhari Messe in Chiba, Japan.

Inverter control is utilized to drive the engines of electric and half-breed vehicles effectively. As the control and drive capacities have diverse working voltages, they should be detached from each other, which is secured with a gadget like a photocoupler. This arrangement results in noisy commotion from the drive circuit. Another worry is that proficient IGBT driving requires little, flexible, elite IGBT entryway pre-driver ICs with implicit defensive capacities.

Toshiba "TB9150FNG" coordinates a photocoupler that secures abnormal state disengagement trademark between controls (the essential side) and drives (the auxiliary side). It fuses a profoundly exact IGBT temperature discovery work, a flyback transformer controller and a short out location capacity (current sense and DESAT [2] screen) that all add to framework scaling back.

Execution can be advanced by checking the IGBT's working temperature with the high exactness IGBT temperature identification capacity, contributing both to cutting back of the IGBT and enhanced fuel utilization by electric and the half and half vehicles.

Primary Elements

1. Optical confinement capacity
Electrical separation and high-withstand voltage segregation are accomplished by an inherent photocoupler for correspondence between the essential and auxiliary sides. The ideal disengagement this accomplishes secures a high resistance to the exogenous commotion, for example, that brought about by electro-attractive helplessness.

2. Very exact temperature identification capacity

The new IC has the consistent current hotspot for a temperature sense diode fused in IGBT and the Advertisement converter. It quantifies voltage inside the temperature sense diode with high exactness, permitting temperature to be accurately ascertained.

3. Worked in flyback transformer control circuit for the force supply

A flyback transformer control circuit in the essential side supplies energy to the optional side while looking after confinement. It additionally has a delicate begin work that secures smooth start-up when turning on energy to the circuit, maintaining a strategic distance from current over-burden.

4. Different inherent anomaly location circuits and insurance circuits

The force supply, yield, current and voltage of the IGBT are all observed. Data on any distinguished variation from the norm is exchanged to the principle controller part by means of an SPI interface. A committed circuit gives insurance against any variation from the norm with the possibility to wreck the IC and IGBT.

5. Taking into account AEC-Q100 norms

Notes:

[1]: Protected Door Bipolar Transistor: A bipolar transistor that joins a MOSFET into an entryway. Utilized for electric force control.

[2]: DESAT: desaturation.

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Data in this report, including item costs and determinations, the substance of administrations and contact data, is present on the date of the declaration yet is liable to change without earlier notice.

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Toshiba Enterprise, a Fortune Worldwide 500 organization, directs world-class capacities in cutting edge electronic and electrical item and frameworks into three center business fields: Vitality that maintains ordinary life, that is cleaner and more secure; Foundation that manages personal satisfaction; and Capacity that supports the propelled data society. Guided by the standards of The Fundamental Duty of the Toshiba Bunch, "Resolved to Individuals, Focused on the Future", Toshiba advances worldwide operations and is adding to the acknowledgment of a world where eras to come can live better lives.

Established in Tokyo in 1875, today's Toshiba is at the heart of a worldwide system of more than 580 solidified organizations utilizing 199,000 individuals around the world, with yearly deals surpassing 6.6 trillion yen (US$55 billion). (As of Walk 31, 2015.)

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TOKYO: 6502
Discharge Renditions

Thursday, September 1, 2016

LASTEST DUAL HIGH VOLTAGE IGBT MODULES TARGETS THE HEAVY INDUSTRIES

Mitsubishi developed the X series of dual IGBT modules, samples of a  3.3. kv ( LV100 with 6KV isolation taking up to a  450A) will be available for shipping from March next year (2017), then 1.7 kb, 3.3 kv, 4.5 and 6.5kv versions in that order, they will be all available from 2019 onwards (with a  10kv isolation).


This device will satisfy demand for efficient and high power density semiconductors, they will be contributing to higher power outputs and efficiency by adopting the lastest diodes for IGBTs and RFCs, standardized 100x140x40 package dimensions will allow the manufacturing industry to simplify the design and secure multiple sources for inverters.