High Speed Switching With CM200DY-12NF - SPANISH

Los  modulos IGBTs actúan como conmutadores para proporcionar una serie de impulsos de CC al motor. Como la mayoría de los controles de frecuencia son para motores de 3 fases, hay seis  modulos IGBTs, dos para cada fase. Un IGBT conecta cada terminal del motor al lado positivo de la alimentación de CC y uno conecta cada terminal del motor en el lado negativo de la alimentación de CC. De esta manera, cada terminal a terminal o línea de voltaje de la línea puede ser positiva o negativa. Mediante el control de la secuencia de conmutación de los IGBTs, el control proporciona un voltaje sinusoidal de 3 fases simulado con la frecuencia y de control de tensión. La forma de onda se compone de pulsos de corriente continua y no se ve demasiado parecido a una onda sinusoidal, pero el valor efectivo es una razonablemente buena simulación de una onda sinusoidal.

Cada modulo IGBT tiene un diodo en paralelo, pero en condiciones de conducir la corriente en la dirección opuesta. Los diodos "anti-paralelas" realizar la parte de la forma de onda de corriente del motor que se retrasa la tensión. CM200DY-12NF es un dispositivo IGBT que está hecho por Mitsubishi y es ideal para usar en la conmutación de alta velocidad.

Descripción del producto:

ALTA POTENCIA utilizar el cambio, TRANS IGBT MÓDULO TRANSISTOR DE POTENCIA N-CH 600V 200A

Presupuesto

100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA

Ficha de datos

Marca

Mitsubishi

Las solicitudes de destino

inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas:

Módulo IGBT El transistor de potencia

Enlace del product

CM200DY-12NF - Mitsubishi módulo IGBT Transistor

Different Generation of IGBTs and CM150DU-24F – SPANISH

Los dispositivos IGBT de primera generación de la década de 1980 y principios de 1990 fueron relativamente  de lenta en la conmutación, y con tendencia al fracaso a través de tales; como el modo seguro hacia arriba y la descomposición secundaria. La segunda generación de dispositivos mejoraron mucho, y las actuales de tercera generación son aún mejores, con MOSFETs de velocidad que rivalizan, y excelente resistencia a la tolerancia de las sobrecargas.

Sus cualidades de manejo como modulo  son extremadamente altas, con un pulso preciso de los dispositivos de segunda y tercera generación que  también los hacen útiles para generar grandes impulsos de energía en áreas como la física de partículas y el plasma, donde se están empezando a reemplazar a los dispositivos más antiguos, como tiratrones y chispas con disparo. Mitsubishi es uno de los principales proveedores de dispositivos IGBT de todo el mundo. Sus IGBTs son ampliamente utilizados en diversos aparatos. CM150DU-24F es una forma de transistores bipolares aislados Mitsubishi, que mantiene la misma calidad y rendimiento.

Descripción del producto:

Fosa de puerta Diseño de doble IGBTMOD 150 Amperios / 1200 voltios. Cada módulo consta de dos transistores IGBT en una configuración de medio puente con cada transistor que tiene una recuperación muy rápida del diodo de rueda libre conectado inversa. Todos los componentes e interconexiones AR

100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA

Ficha de datos

Marca

Mitsubishi

inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

Caracteristicas:

Módulo IGBT El transistor de potencia

CM150DU-24F - Mitsubishi módulo IGBT Transistor

Detail Discusssion on CM300DU (An IGBT Transistor) - SPANISH

Existe un incremento de interés en la optimización de chips IGBT debido a la creciente necesidad de una mayor densidad de potencia, mayor potencia de salida, y el aumento de la resistividad térmica. Los modulos IGBTs se utilizan ampliamente en varios tipos de dispositivos electrónicos de potencia porque los chips IGBT son de diseño compacto, pequeño en tamaño, y tienen una alta fiabilidad, lo que mejora la funcionalidad. Varios vendedores del mercado también están invirtiendo fuertemente en I + D para la fabricación de los chips optimizados para aumentar la eficiencia operativa de los módulos de potencia basados en Ilos IGBT.

Además, los informes señala que los módulos de potencia basados en IGBT tienen una mayor densidad de energía que los MOSFETs y pueden administrar la energía hasta 1,000A. Esto aumenta el costo de los módulos IGBT en un amperio por dólar. El alto costo de estos modulos impide su uso en aplicaciones tales como equipos de soldadura, control de motores de baja tensión y UPS. Varias PYME sensibles a los costes que fabrican dispositivos electrónicos también les resulta difícil la adopción de estos módulos.

Mitsubishi Electric Corp., de Japón es el proveedor más importante de los diversos tipos de transistores IGBT en el mercado mundial. CM300DU-12F es un IGBT diseñado con una pequeña y compacta puerta de corriente y voltaje, hoy vamos a hablar de este modulo

Descripción del producto:

Modulo transistor de alta resistencia y amplio esprectro de cambio Trench Gate Design Dual IGBTMOD 300 Amperios/600 Voltios, IGBT, VCE 600 V (VGE=0), IC 300 A, 300 Amp, 600 Volt

Especificaciones:

100 Amp, 600 Volt

Conveniences of CM400HA-24A Over MOSFETs and BJTs – SPANISH

El CMA400HA-24A es un modulo semiconductor de 3 terminales usado primariamente como un suiche electronico  este aparato es notorio por que combina alta eficiencia con cambio de velocidades rapido, actualmente se usa mas este modulo que los MOSFET y los BJTS porque:

-       Los dispositivos con rangos de voltaje mas amplios necesitan de un modulo con un voltaje estatico mucho menor al del MOSFET

-       El tiempo de retraso es mucho menor comparado con el BJT (unos 300nS a 1500nS)

-       En cambio del BJT el CM400HA-24A es controlado por voltaje y es un dispositivo de de alto rendimiento, el control de voltaje es simple que el control del BJT

Por estas razones es que el modulo CM400HA-24A es aplicado actualmente en la mayoria de los motores de elevadores e implementos de alta tecnología

Descripción:

Un modulo IGBTMOD series A, modulo de 400 amperes, 1200 voltios , cada modulo consiste en un modulo IGBT  transistor en una sola configuración, conectado en reversa de alta recuperación de energía con un diodo giratorio libre.

Especificaciones:

100 Amp, 600 Volt, POWER TRANSISTOR

Aplicaciones:

Invertores; DC motor control; Switching power supplies; AC motor control

CM1200HB-66H and It’s Usage - SPANISH

¿Que pasaría si todos  los modulos IGBT fueran removidos de las aplicaciones a las que sirven hoy en día? nuestros vehiculos (electricos y a gasolina) pararian porque sus sistemas electricos utilzan invertores para entregar la energía y corriente , y sin estos modulos IGBT esto simplemente no seria posible. Las tecnologias mas avanzadas a base de energia solar y de viento  es uno de los recursos de energia rebovable  que tampoco estaria en capacidades de funcionar, y asi como estas instalaciones, muchos otros tambien pararian por el simple de hecho de  carecer de un modulo IGBT, la calidad de vida que tenemos actualmente es en gran parte a los IGBT, y sin ellos muchas de nuestras facilidades domesticas y funcionamientos en las grandes fabricas y maquinas no seria  posible ni siquiera en su mas minima medida.

De esta discusión podemos deducir que el IGBT realmente juega un papel bastante importante e inevitable en nuestra existencía como sociedad e individuos, Mitsubishi es quien ha sido el lider en cuanto a  modulos IGBT y tecnologia referente, los mismos han sido usados desde tareas cotidianas hasta procedimientos de mayor importancia.

Descripción:

Segunda generacion  del modulo HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) . HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE. 1200 A, 3300 V. APPLICATION invertores, Convertores, DC choppers, Induction heating, DC to DC converters.

Especificaciones:

100 Amp, 600 Volt, MODULO IGBT (TRANSISTOR DE PODER)

Aplicaciones:

Inverters; DC motor control; Switching power supplies; AC motor control

CM1200HA-34H and It’s Use in Plasma Cutting - SPANISH

Plasma cutting sector has been developed significantly in recent years. In the initial stages, CNC plasma cutting machines used to utilize MOSFETs in their inverters as transistor. Usage of IGBTs is now increased noticeably in this field. With assimilated MOSFETs, if one of the transistors activates untimely it can cause collapse of one quarter of the inverter. A later discovery, IGBTs, is not as subject to this failure mode. IGBTs can be generally found in high current machines where it is not possible to parallel sufficient MOSFET transistors.

El mercado de los cortadores de plasma se ha desarrollado significativamente en los años recientes, en su etapa mas inicial las maquinas que empleaban cortadores de plasma usaban un MOSFET en sus invertores como transitores, la usanza de los IGBTS es ahora lo mas común y aparte, es lo que ha incrementado, si uno de los  transitores se activa de manera tardia, puede causar un colapso de un cuarto del invertor, esto es un problema que ocurria con el Mosfet, pero con el IGBT  no es un sujeto de esta clase de fallas, los IGBT pueden ser usados y encontrados generalmente en maquinas que requieren una corriente muy alta, donde no es posible utilizar un MOSFET por sus incapacidades, como la antes mencionada.

Mitsubishi Electric Corp. of Japan has manufactured CM1200HA-34H for using in inverters and high speed switching applications. Its great performance will make your plasma cutting experience mind-blowing.

Mitsubishi Electric Corp, el gigante japones, ha manufacturado el CM1200HA-34H para su uso en invertores de alta velocidad cambiaria, que a  su vez es perfecto para los cortadores de plasma, algo realmente impresionante

Descripción:

MITSUBISHI modulo de poder IGBT

Especificaciones:

100 Amp, 600 Volt, Transitor de poder

Aplicaciones:

Invertores DC motor control; Switching power supplies; AC motor control

CM1000HA-24H - A Perfect IGBT for Motor Control - SPANISH

Para alcanzar los niveles adecuados de manejo de capacidad electrica, particularmente en las aplicaciones de motores que requieren multiples elementos de poder y cambios de velocidad, los circuitos de poder integrado se han desarrollado usando diferentes tecnicas de construcción en vehiculos hibridos, dichas tecnicas han sido necesarias y sumamente exitosas debido a las limitaciones a la hora del manejamiento de poder integrada a la tecnologia de circuitos, los circuitos integrados que son usualmente usados en los sistemas monoliticos para proveer un bajo calor termal y una rapida respuesta a  los cambios de velocidad y niveles electricos, esto es precisamente lo que hace que los  IGBTS la mejor opcion, los modulos de MITSUBISHI son una buena elección porque pueden venir desde  bajas frecuencias ( 60 hz o dc) con ondas de frecuencia variable de entre 20 a 200 ms.

Hoy vamos a  hablar de el modulo CM1000HA-24 H

Descripción

Modulo transistor, IGBT de 1000 amperios,/1200 voltios, corriente de rangos VCES amperios voltios x 50 CM 1000 24

Especificaciones

100 Amp, 600 Volt, Transistor de poder

Aplicaciones

Invertores; DC motor control; cambio de poder; AC motor control