El MOSFET un recuerdo vago para el IGBT

En los tiempos actuales, donde es reinventarse o morir hay algo que puede ser acuñado a  todo, inclusive, la tecnología, y es aprender de las fallas de nuestros predecesores, en este caso el IGBT siempre presenta mejoras de los aparatos que vinieron antes que el.

La estructura recuerda mucho la de un transistor MOSFET de potencia donde se utilizan obleas dopadas de Tipo N sobre las que se deposita una fina capa epitaxial. El IGBT está construido de forma casi idéntica. La capa epitaxial presenta el mismo espesor y se dopa igual que en un FET. Sin embargo, existe una importante diferencia: el material de partida es una oblea dopada Tipo P en lugar de Tipo N. La unión PN adicional, así creada, inyecta portadores (huecos) en la región epitaxial Tipo N reduciendo su resistividad y rebajando la caída de tensión en conducción

El techo de frecuencia se sitúa alrededor de los 75kHz, debido a que la corriente principal se controla con un transistor bipolar. En estos dispositivos sin embargo, se han conseguido tiempos de conmutación de 0,2 ms con muy bajas caídas de tensión, lo que les hace muy útiles en conmutaciones rápidas.

La facilidad de control, similar a la de un MOSFET, unida a sus pérdidas relativamente bajas, les convierten en la elección idónea para aplicaciones de control de motores conectados directamente a la red (hasta 480 V). Para tensiones de 400 a 1200 V, los IGBT ofrecen ventajas sustanciales frente a los transistores bipolares de potencia, por lo que están sustituyendo a éstos en un amplio campo de aplicaciones.

Actualmente, con la aparición de la 2ª generación de IGBTs, los fabricantes ofrecen una amplia gama de estos dispositivos, y se pueden elegir bien por su rapidez o bien por su caída de tensión en conducción; esto es muy interesante ya que permite optimizar la utilización de éstos dispositivos en función de las distintas aplicaciones. Se encuentran ya dispositivos capaces de soportar 1200 V y 400 A.