A lo largo de la
historia de la humanidad siempre hemos buscado mejorar nuestra calidad de vida
mediante instrumentos que faciliten nuestras tareas y mientras menos engorrosas
y aparatosas sean nuestras invenciones pues muchísimo mejor, el IGBT es además
de ser compacto algo de sencilla ampliación, a continuación te damos una breve
historia del IGBT;
El primer intento en
este componente es su realización en componentes discretos con un transistor
con bajo campo de energía efecto comandante transistor bipolar de potencia. El
objetivo es simplificar los circuitos de control de aplicaciones de conmutación
de los transistores de potencia inherentes, de gran complejidad en los años
1970-1980.
Tecnología IGBT ha sido
patentado en los Estados Unidos el 14 de diciembre de 1982 por Hans W. Beck y
Carl F. Wheatley, Jr., bajo el nombre de MOSFET de potencia con una región del
ánodo. Esta es una tecnología reciente, que sucede a los tiristores,
transistores Darlington y GTO.
La primera generación de
IGBT tuvo importantes problemas de bloqueo que han sido fijados en 2 generación
aparecieron a principios del 1990. El final del siglo XX fue testigo de tres
nuevas generaciones IGBT, lo que aumentó el rendimiento de corrientes y
tensiones importantes.
Las características de
la IGBT hacen en la década de 2000 fue ampliamente impuso en todas las áreas de
la electrónica de potencia contra otros tipos de componentes para rangos de
voltaje, y perfora a voltajes más altos frente a la GTO, así como las tensiones
que enfrenta el MOSFET inferior, aunque es más lentoreve Historia del IGBT.
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