El Convertidor de Frecuencia del Sistema Proporciona una Solución Completa para Aplicaciones de Media Tension

El convertidor de frecuencia del sistema proporciona una solución completa para aplicaciones de media tensión PARTE 1 La Serie MVW3000 de variadores de velocidad de WEG ha presentado nuevos aparatos con muchisimas funciones tales como: El variador de velocidad variable de media tensión MVW3000, que cuenta con una eficiencia, densidad de potencia y fiabilidad extremadamente alta, se vende como un sistema completo integrado en un armario de distribución. WEG ha presentado tambien en la serie MVW3000 de variadores de velocidad para voltajes de 2.3kV a 8kV y niveles de potencia de 28 kW a 2.400kW. Esta familia de dispositivos está construida con tecnología multinivel y puentes H en cascada (CHB). La topología multinivel se basa en la conexión en serie de tres a diez módulos de alimentación de baja tensión (690 V) con convertidores de salida IGBT en configuración de puente en H, dependiendo de la tensión de salida. Esto permite alcanzar niveles de voltaje en la gama de voltaje medio utilizando componentes de baja tensión estándar probados (diodos, IGBT y condensadores de película de plástico) de una manera rentable. Como característica especial, el MVW3000 se suministra como un sistema completo integrado en un armario de distribución, incluyendo aislador de media tensión, fusibles, transformador de alimentación multinivel y convertidor de frecuencia "El actual voltaje y rango de potencia es sólo la primera etapa en la evolución del producto.

Mayores tensiones y niveles de potencia ya están disponibles bajo petición ", dijo Johannes Schwenger, jefe de sistemas de control de producto de baja tensión y media tensión de Europa en WEG. "El MVW3000 es una solución todo-en-uno de alto rendimiento que elimina la necesidad de aparatos de conmutación de media tensión adicionales. Este sistema de transmisión de velocidad variable cuenta con excelentes parámetros de entrada y salida, eficiencia energética y alta disponibilidad, junto con un fácil mantenimiento, modularidad y manejo suave del motor. Esto hace que este sistema de accionamiento de velocidad variable sea el complemento ideal para todos los motores de media tensión comercialmente disponibles y la elección perfecta para proyectos de retrofit gracias a su voltaje de salida virtualmente sinusoidal ", si deseas saber mas de estos nuevos implementos acompañanos en la parte 2 de este articulo. El sistema de accionamiento de velocidad variable MVW3000 proporciona un rendimiento de conducción extremadamente alto. El factor de potencia de red es superior a 0,95 en toda la gama de revoluciones del motor, sin ningún filtro de armónicos adicional o condensadores de compensación. La arquitectura de dispositivo integrada proporciona unas cifras de distorsión armónica de red sobresalientes para corriente y tensión (THD I / V y TDD) según IEEE 519, IEC 61800-3 y G5 / 4-1. El dispositivo cumple con los límites establecidos en estas normas, incluso en su configuración básica. El rendimiento del inversor, incluido el transformador, supera el 95 por ciento en toda la gama de velocidad del motor y es superior al 96 por ciento con niveles de carga superiores al 40 por ciento. El circuito de carga para el transformador de potencia multinivel asegura la magnetización del núcleo del transformador sin corrientes de arranque y una carga suave de los condensadores de enlace de CC para la etapa del inversor. El transformador de potencia permite la adaptación de la tensión de red a la tensión de salida del motor y la reducción de la tensión de modo común en el devanado del motor.

También reduce las corrientes de modo común a través de los cojinetes del motor para maximizar la vida del rodamiento. Las interfaces entre la CPU del convertidor de frecuencia y la etapa de potencia para el control IGBT, la supervisión de la temperatura, la realimentación de la tensión y la realimentación de la corriente se implementan utilizando fibra óptica para aumentar la inmunidad al ruido y proporcionar un aislamiento efectivo entre las secciones de control y potencia. Las etapas de potencia (puentes H) están construidas con condensadores de película de plástico, fusibles semiconductores y una función de bypass automático del inversor para proporcionar una mayor disponibilidad del sistema en caso de fallo. El voltaje y la corriente de salida prácticamente sinusoidales reducen la disipación de potencia, las vibraciones y la pulsación de par en el motor. Con el fin de mejorar la fiabilidad y la disponibilidad del sistema, el MVW3000 está equipado con dispositivos de protección del motor para la protección contra sobrecarga, sobrecalentamiento y bloqueo del rotor del motor. Las temperaturas de la etapa de potencia y del transformador también se monitorean constantemente. Como sistema de empaque, el MVW3000 simplifica la instalación y puesta en marcha. Las etapas de potencia de enchufe facilitan el mantenimiento y el reemplazo rápido. Con dimensiones de 3.900 x 2.210 x 1.100 mm (An x Al x D), el sistema de accionamiento de velocidad variable también tiene una pequeña huella. Además, opcionalmente puede equiparse con todos los protocolos de comunicación industriales más habituales, incluyendo Modbus, Profibus, Devicenet y Ethernet.

IGBT Rectifier Technology in UPS

UPS (Uninterruptible Power Supply) is considered as one of the best ways to save electrical equipments from power problems. It is an electrical apparatus that provides emergency power to a load when the input power source, typically mains power fails. At home we need UPS when we use our PC. Others areas that need UPS are data centre, process backup, military operation etc. There are several varieties of UPS: online UPS, offline UPS and line interactive UPS. Online UPS is inverter supply directly to load; offline UPS is the inverter starts only when utility is not present, line interactive UPS is an offline UPS with an AVR / line conditioner. There is an inverter which converts DC current (Battery power) to AC current is called UPS inverter. IGBT rectifier technology is the latest and most effective technology in the UPS industry. It uses the high frequency to rectify the AC to DC. IGBT rectifier reduces harmonics substantially and reduces the upsize of upstream components. Hence, reduce initial cost and operation cost.

TRENCHSTOP™ Performance IGBT Improves Energy Efficiency for Home Appliance and Industrial Applications

On last April 28th, Infineon Technologies AG commenced the latest 600 V TRENCHSTOP™ Performance IGBT offering the next level of competency. The state-of-the-art discrete IGBT delivers high energy efficiency and reliabeness at an aggressive price point for applications like air conditioning, solar PV inverters, drives and uninterruptible power supply (UPS). Based on Infineon’s TRENCHSTOP technology,the latest IGBT is optimized for hard switching topologies working at frequencies of up to 30 kHz. The latest TRENCHSTOP Performance IGBT series incorporates the best trade-off between conduction and switch-off energy losses with exceptional toughness. 5 µsec short circuit capacity and fantastic electromagnetic interference (EMI) behaviour.

The 600 V TRENCHSTOP Performance is a great alternative to the predecessor TRENCHSTOP IGBT from Infineon as well as to contending products. In a plug-and-play replacement the new TRENCHSTOP Performance IGBT yields lessened losses of 7 percent at switching frequency of 8 kHz. A matchless 11 percent lower aggregate loss is delivered for switching frequency of 15 kHz. Making use of the same packages, redesigns for higher efficiency and competitive cost can be realized simply, fast and with less efforts. The 600 V TRENCHSTOP Performance IGBT contributes to more energy efficient power consumption, higher reliability and longer operational lifetime of the application. For end consumers this translates into a lower electricity bill, sustainability and environmental protection.

Nuevo e Innovador Lanzamiento de INFINEON y el Porque Deberías Implementarlo en tu Negocio

Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) expande su cartera de productos de modulos IGBT ofreciendo con un discreto de 1200 V hasta 75 A. Los dispositivos están co-embalados con un diodo de máxima clasificación en un paquete TO-247PLUS. Los nuevos paquetes TO-247PLUS sirven a la creciente demanda de mayor densidad de potencia y mayor eficiencia en paquetes discretos. Las aplicaciones típicas con una tensión de bloqueo de 1200 V que requieren una alta densidad de potencia son unidades, fuentes de alimentación fotovoltaicas e ininterrumpidas (SAI). Otras aplicaciones incluyen sistemas de carga de baterías y almacenamiento de energía. En comparación con un paquete TO-247-3, el nuevo paquete TO-247PLUS puede proporcionar una clasificación de corriente doble. Debido a la eliminación del orificio de tornillo del paquete estándar TO-247, el paquete PLUS tiene un área de marco de plomo más grande y por lo tanto puede acomodar chips IGBT más grandes.

Ahora, por primera vez, se dispone de hasta 75 A de 1200 V con IGBTs con la misma pequeña huella. El marco de plomo más grande proporciona una menor resistencia térmica del TO-247PLUS, dando lugar a una capacidad mejorada de disipación de calor. Para los diseñadores que buscan mejorar las pérdidas de conmutación, el paquete delTO-247PLUS 4pin cuenta con un pin de fuente de emisor Kelvin extra. Esto permite un bucle de control por la puerta del emisor a su vez lainductancia es ultrabaja y reduce las pérdidas totales de conmutación E (ts) en más del 20% Los IGBTs clasificados como 1200 V como el TO-247PLUS de 3 y 4 paquetes se pueden utilizar para aumentar la densidad de potencia del sistema. Además, pueden reducir el número de dispositivos de alimentación utilizados en paralelo, aumentar la eficiencia del sistema o mejorar las condiciones térmicas del sistema.

Informe Mercado de Semiconductores Automotrices Acelere la Demanda de Componentes de Energía como IGBT y MOSFET parte 2

Las regulaciones sobre seguridad y emisión impulsarán el mercado de los componentes y dispositivos conectados en el vehículo para asegurar el monitoreo y la notificación de la emisión de vehículos cumpliendo con las regulaciones establecidas por el gobierno. Requieren semiconductores cada vez más potentes para garantizar que el rendimiento de los vehículos está en conformidad. Por lo tanto, la razón anterior a su vez está ayudando al mercado de semiconductores automotrices para crecer durante el período previsto de 2016-2024.

Además, los estándares de vehículos como el programa de evaluación de vehículos nuevos (NCAP), que otorga calificaciones de seguridad a los nuevos vehículos fabricados como estrellas, están impulsando a los fabricantes de automóviles a proporcionar más y más componentes electrónicos para proporcionar más seguridad y sistemas de seguridad para el vehículo. Obtener el nivel más alto de cinco estrellas puede actuar como un punto de venta fuerte para los vehículos. Su logro se basa en complejos y sofisticados sistemas de conducción asistida que requieren un contenido significativo de semiconductores para que estos sistemas funcionen.

Informe Mercado de Semiconductores Automotrices Acelere la Demanda de Componentes de Energía como IGBT y MOSFET Parte 1

En este informe ofrecemos una evaluación completa del mercado. a través de profundas ideas cualitativas, datos históricos y proyecciones verificables sobre el tamaño del mercado. Las proyecciones presentadas en el informe se han derivado utilizando metodologías y suposiciones de investigación probadas. Al hacerlo, el informe de investigación sirve como un repositorio de análisis e información para cada faceta del mercado, incluyendo pero no limitado a: mercados regionales, tecnología, tipos y aplicaciones. Aumentar los sistemas de seguridad, no sólo la seguridad pasiva, p. (ABS), control electrónico de estabilidad (ECS), detección de puntos ciegos (BSD), control adaptativo de crucero (ACC) y asistencia de cambio de carril (LCA), entre otros.

Todas estas funciones inteligentes mencionadas anteriormente requieren un dispositivo semiconductor para realizar su función. La función principal de un semiconductor es conducir la electricidad fácilmente en una dirección entre otras funciones más específicas. Las regulaciones sobre seguridad y emisión impulsarán el mercado de los componentes y dispositivos conectados en el vehículo para asegurar el monitoreo y la notificación de la emisión de vehículos cumpliendo con las regulaciones establecidas por el gobierno.

Superioridad del IGBT frente al MOSFET

El IGBT tiene la ventaja sobre el MOSFET a mayores frecuencias de conmutación. Pero a frecuencias de conmutación más bajas, el MOSFET tiene la pérdida global más baja y la temperatura de unión de funcionamiento más baja. (El IGBT y MOSFETs seleccionados tienen aproximadamente los mismos tamaños de matriz y impedancias térmicas.) Esto es de alguna manera contraria a la sabiduría convencional donde a menudo se argumenta que los MOSFET tienen un mejor desempeño en frecuencias de conmutación más altas. Sin embargo, estos resultados indican lo contrario y pueden atribuirse principalmente debido al componente de pérdida de recuperación de diodos significativamente más bajo del IGBT + FRD (diodo de recuperación rápida) y la mejora significativa en minimizar el comportamiento de corriente de cola del IGBT.

La menor pérdida de conmutación del IGBT + FRD debido a un componente de pérdida de recuperación de diodo significativamente menor le da la ventaja sobre el MOSFET a 20 kHz (una frecuencia de conmutación relativamente alta para esta aplicación). Además, la pérdida de conmutación del MOSFET se puede reducir significativamente mediante el uso de un controlador de puerta con una mayor capacidad de fuente y corriente de hundimiento (por ejemplo, un controlador de fuente de alimentación 2-A / corriente de hundimiento). Como resultado, las pérdidas totales de MOSFET se reducirían y permitirían al MOSFET cerrar la brecha entre éste y el IGBT. El dv / dt superior resultante, sin embargo, podría causar efectos indeseables tales como sonidos de alta frecuencia y un mayor nivel de EMI irradiado. Curiosamente, a frecuencias de conmutación más bajas donde domina la pérdida de conducción, el MOSFET se beneficia debido a la ausencia de una "rodilla" en sus características de avance, junto con un RDS relativamente bajo (on).

Mientras que el IGBT sigue siendo el mejor dispositivo para seleccionar en este ejemplo de aplicación, la disponibilidad de significativamente menor RDS (on) MOSFET junto con un mejor comportamiento de recuperación de diodos y un conductor fuerte puerta podría comenzar a inclinación de la balanza hacia el MOSFET. En ese caso, llegaría entonces a una relación coste / rendimiento ("$ / Amp") con el IGBT probablemente teniendo el borde debido a una densidad de corriente mucho superior (para un tamaño de dado dado). Los IGBTs y MOSFETs similares están a menudo disponibles para una aplicación dada. Es útil comprender claramente las ventajas y limitaciones de ambos dispositivos y elegir uno que mejor se adapte a los requisitos en términos de rendimiento general y costo. Si bien esto no es un esfuerzo fácil, una mayor familiaridad con estos dispositivos de energía resultará beneficioso en la navegación de estas decisiones complejas.