Renesas Electronics
Corporation (TSE: 6723), Un proveedor premier avanzado de
soluciones semiconductor, hoy anuncio la a disponibilidad de seis
nuevos productos en la Octava generación serie G8H de Transistor Bipolar
de Puerta Aislada (IGBT) dispositivos que minimiza las pérdidas de
conversiones, en los acondicionadores de potencia para generación de energía
solar y reduce aplicaciones de inversores en sistemas de alimentación
ininterrumpida (UPS).
Comparada con la pasada
generación de IGBTS, estas se dicen que son más rápidas y tienen un mejor
sistema de cambios junto con el sistema de carga mientras tanto también reduce
la perdida de la conducción bajándole la saturación al voltaje,
Adicional, la actuación de los dispositivos se dice que mejoro un
30% comparado a la 7ma-generacion IGBTs.
En el Sistema solar
IGBTS siempre hay una cantidad de potencia que se pierde por
eso es que es una prioridad reduce este problema, reduciendo la
perdida de la potencia ha tenido un impacto positive cuando se fabrica y
usando estos modelos.
En el Sistema solar
IGBTS siempre hay una cantidad de potencia que se pierde por
eso es que es una prioridad reduce este problema, reduciendo la
perdida de la potencia ha tenido un impacto positive cuando se fabrica y
usando estos modelos.
Algunas características
claves de esta Octava generación son:
-Sistema de cambio más
rápido, ultra-bajo características de pérdida de potencia ideal líder en la
industria de circuitos inversores
- Eliminar las
resistencias de puerta exterior gracias al bajo ruido del cambio.
- En primer lugar
Industry's-1250 V IGBT construido en Diode en un TO-247 más una versión de un
paquete discreto disponible para 75 A la banda actual está
calificada a 100 C.
- A-247 paquete con una
excelente disipación de calor; su operación está garantizada a elevadas
temperaturas hasta 175°C.
