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Sunday, August 20, 2023

Mitsubishi IGBT Module CM400DY1-12E

CM400DY1-12E is a product code for a dual IGBT module (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Mitsubishi Electric Corporation, a Japanese multinational electronics and electrical equipment company.


The module is designed for use in high-power applications such as motor drives, power supplies, and industrial automation. It contains two IGBT power switches and two anti-parallel diodes in a half-bridge configuration, all of which are insulated from the heat sink.


The CM400DY1-12E module has a maximum collector-emitter voltage of 1200V, a maximum collector current of 400A, and a maximum power dissipation of 1080W. It operates at a frequency range of up to 20kHz and has a low inductance design for high switching speed.


The module has a compact and robust design with a weight of 380g and dimensions of 100mm x 62mm x 17.2mm. It also has a built-in temperature sensor for monitoring and protection against overheating.


Overall, the CM400DY1-12E module is a high-performance and reliable solution for high-power applications that require efficient and precise power conversion. It is suitable for use in a wide range of industrial and commercial applications where high power density, fast switching, and high reliability are required.


Thursday, June 30, 2016

FF800R17KF6C_B2-Un par ideal IGBT para sistema de poder de viento

La mejor solución en energía renovable y otras aplicaciones de la industria es el módulo  FF800R17KF6C_B2,  de 130 mm IGBT 1700V doble IHM con IGBT2  de pérdida baja con diodo ampliado y AlSiC  de placa con  base. El módulo es fabricado por Infineon Technologies AG, un fabricante de semiconductores de renombre en Alemania. Infineon ofrece soluciones de semiconductores y de sistema, basándose en tres de las necesidades centrales de nuestra sociedad moderna: la eficiencia, movilidad y seguridad.  El módulo FF800R17KF6C_B2 es altamente fiable y cuenta con una construcción  de modulo robusta, lo que permite ampliar el funcionamiento  de diodos en operación regenerativa.

Los semiconductores de potencia tienen un papel importante en la generación de energía a partir de fuentes renovables. En las turbinas de viento, los semiconductores de potencia se utilizan para transformar la potencia y combinar el generador con la red o parrilla. También se hacen en diferentes unidades auxiliares tales como impulsores de paso, unidades de guiñada, bombas y en los circuitos de protección como barras de hierro. Una serie de funciones vitales y aplicaciones están controladas por convertidores de energía  y por eso se requiere de altos semiconductores de potencia que sean de calidad. Esto es aplicable a los convertidores de energía marina que operan en condiciones sumamente difíciles expuestas a la sal, la humedad, etc. Un rápido crecimiento está previsto para el área  de la costa. FF800R17KF6C_B2 es una opción perfecta en estos campos.

Las turbinas de energía  también deberán estar destinadas a ofrecer los máximos niveles de disponibilidad con el fin de contribuir a la estabilidad de la red. Esto se aplica no sólo para el convertidor, sino que también para las diferentes unidades auxiliares montadas en distintas posiciones. La estabilidad de la parrilla o red depende por lo tanto de conjuntos de semiconductores de potencia que ofrecen capacidades dinámicas, funcionalidad excepcional y una fiabilidad superior.

Ventajas como la alta densidad de potencia para diseños de convertidores compactos y estandarización son fáciles de encontrar si utilizamos FF800R17KF6C_B2 en  las aplicaciones de energía de viento.

Existe un floreciente avance mundial en  la generación de energía de viento. La suma de la energía producida mediante energía de viento ha aumentado  desde  7,5 gigavatios en el año de  1997 a 74 gigavatios en el año  2006 con mayor incremento pasando a razón de una duplicación de la generación de cada tres o cuatro años. Se calcula que el 12 % de las necesidades mundiales de electricidad será suministrado por la energía de viento en 2020. Los prominentes generadores de energía de viento en el mundo son Alemania, España y los Estados Unidos. China también está imitando de forma invasiva la  generación de energía por medio de viento. China planea gastar $ 700 mil millones para el año  2020 en proyectos de energías renovables. Huadian Power International Corporación, es una empresa con sede en China que ha obtenido la autorización para la construcción de dos proyectos de energía de viento con una capacidad asociada de 147 megavatios. Por otra parte, una empresa india, Suzlon Energy, se ha convertido en el octavo mayor generador mundial de aerogeneradores. Las empresas se están preparando  para un crecimiento significativo de energía por medio de viento para el futuro.

http://www.USComponent.com ha estado vendiendo módulos de transistores de potencia IGBT desde 2001.Infineon, Thyssen Krupp, OTIS, IXYS, Sony DADC, General Motors , Hong Kong eléctrica Holdings Limited, Singapore Mass Rapid Transit Trenes LTD, Verkehrsbetriebe Zúrich, Czech Airlines, Molex, Cisco, Omron, neumáticos Good year, Thai AirAsia, Boeing, Xilinx, LEAR Siegler  y general Electric.


http://www.USComponent.com tiene un Equipo de control de Calidad como ningún otro. Esto significa que sabemos cómo trabajar duro con el fin de asegurar y garantizar que la calidad de todas las piezas que estamos vendiendo sea la mejor. Debido a que sólo vendemos piezas electrónicas nuevas y originales, proporcionamos a nuestros clientes una garantía de 30 días. Y porque tenemos conexiones con los fabricantes de módulos de transistores de potencia IGBT, fabricantes de equipos originales y distribuidores, somos capaces de pasar los ahorros a nuestros clientes, dándoles un precio más bajo sin dejar de ofrecer los productos de calidad que se merecen. Nuestro inventario es manejado con cuidado y con los más elevados estándares en instalaciones de almacenamiento dentro de un entorno controlado.

Friday, May 27, 2016

LASTEST DUAL HIGH VOLTAGE IGBT MODULES TARGETS THE HEAVY INDUSTRIES

Mitsubishi  developed the X series of dual IGBT modules, samples of a  3.3. kv ( LV100 with 6KV isolation taking up to a  450A) will be available for shipping from March next year (2017), then 1.7 kb, 3.3 kv, 4.5 and 6.5kv versions in that order, they will be all available from 2019 onwards (with a  10kv isolation)

This device will satisfy demand for efficient and high power density semiconductors, they will be contributing to higher power outputs and efficiency by adopting the lastest diodes for IGBTs and RFCs, standardized 100x140x40 package dimensions will allow the manufacturing industry to simplify the design and secure multiple sources for inverters.