Munich, Alemania - 18 de diciembre de 2019 - Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) presentó en marzo el nuevo chip IGBT7 para su conocida plataforma Easy. Ahora está implementando el TRENCHSTOP ™ IGBT7 de última generación en la clasificación de la potencia media: en el paquete estándar de la industria EconoDUAL ™ 3. En esta tecnología de chip, el módulo de 1200 V proporciona una corriente nominal líder de 900 A que permite un 30 por ciento más de corriente de salida del inversor para el mismo tamaño en comparación con la tecnología anterior. Si bien las mejoras específicas del chip y la carcasa del módulo apuntan directamente a aplicaciones de accionamiento industrial, también se puede utilizar muy bien en diseños para vehículos comerciales, de construcción y agrícolas (CAV), servoaccionamientos, así como inversores solares y UPS.
Basado en la nueva tecnología de zanjas de micro-patrones, el chip TRENCHSTOP IGBT7 funciona con pérdidas estáticas mucho más bajas en comparación con el IGBT4. Su voltaje de estado activado se reduce hasta en un 30 por ciento para la misma área de chip. Esto trae una reducción significativa de pérdidas en la aplicación, especialmente para los accionamientos industriales, que generalmente operan a frecuencias de conmutación moderadas. Además, se ha mejorado el comportamiento de oscilación y la capacidad de control del IGBT. Los módulos de potencia cuentan con una temperatura de unión de sobrecarga máxima permitida de 175 ° C.
Otra mejora se refiere al diodo de rueda libre (FWD) que también se ha optimizado para aplicaciones de accionamiento. La caída de voltaje directo del diodo de séptima generación controlado por emisor (EC7) ahora es 100 mV menor que la caída de voltaje directo del diodo EC4, con una tendencia a la oscilación reducida durante la desconexión del diodo, Sin duda alguna estamos ante una mejora considerable que será favorable en todos los ámbitos actuales.
No comments:
Post a Comment